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Diodes Schottky jusqu'à 40 GHz : Série SxB | SEMIGEN

Les diodes Schottky en silicium de SemiGen sont conçues pour des applications jusqu'à 40 GHz.

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Description

Les diodes Schottky au silicium de SemiGen sont conçues pour des applications jusqu'à 40 GHz. La technologie de traitement spéciale utilise différents schémas métalliques pour fournir d'excellentes performances pour les applications à faible, moyenne et haute barrière.

Le résultat final est une diode à faible résistance avec une capacité étroitement contrôlée qui permet une performance optimale. La faible perte de conversation et le TSS supérieur rendent ces diodes idéales pour les applications de détecteur/mélangeur avec des gammes de fréquences allant de la bande S à la bande Ka ainsi que pour les modulateurs, les limiteurs de faible puissance et les commutateurs à haute vitesse.

Références et spécifications : Low Barrier Schottky Diodes

Part Number Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V) Forward Voltage @ 1 mA MAX (V) Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF) Series Resistance @ 5 mM TYP Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SLB100 3.0 0.250 0.14 20.0 -55
SLB101 3.0 0.280 0.20 20.0 -52
SLB102 3.0 0.300 0.12 20.0 -50
SLB103 3.0 0.320 0.14 20.0 -48
SLB104 3.0 0.250 0.15 20.0 -55
SLB105 3.0 0.280 0.15 20.0 -52
SLB106 3.0 0.300 0.12 20.0 -50
SLB107 3.0 0.320 0.14 20.0 -48
SLB108 3.0 0.250 0.14 20.0 -55
SLB109 3.0 0.280 0.15 20.0 -52
SLB110 3.0 0.300 0.14 20.0 -50
SLB111 3.0 0.320 0.25 20.0 -48
SLB112 4.0 0.250 0.20 20.0 -55
SLB113 4.0 0.280 0.15 20.0 -52
SLB114 4.0 0.300 0.12 20.0 -50
SLB115 4.0 0.320 0.15 0.35 -48

Références et spécifications : Signal Sensitivity TYP (dB)

Part Number Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V) Forward Voltage @ 1 mA MAX (V) Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF) Series Resistance @ 5 mM TYP Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SMB200 3.0 0.400 0.14 20.0 -52
SMB201 3.0 0.400 0.20 20.0 -50
SMB202 3.0 0.400 0.12 20.0 -48
SMB203 3.0 0.400 0.14 20.0 -45
SMB204 4.0 0.425 0.15 20.0 -52
SMB205 4.0 0.425 0.15 20.0 -50
SMB206 4.0 0.425 0.12 20.0 -48
SMB207 4.0 0.425 0.14 20.0 -45
SMB208 4.0 0.450 0.14 20.0 -52
SMB209 4.0 0.450 0.15 20.0 -50
SMB210 5.0 0.450 0.14 20.0 -48
SMB211 5.0 0.450 0.25 20.0 -45
SMB212 5.0 0.475 0.21 20.0 -52
SMB213 5.0 0.475 0.15 20.0 -50
SMB214 5.0 0.475 0.12 20.0 -48
SMB215 5.0 0.475 0.15 20.0 -45

Références et spécifications : High Barrier Schottky Diodes

Part Number Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V) Forward Voltage @ 1 mA MAX (V) Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF) Series Resistance @ 5 mM TYP Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SHB300 5.0 0.500 0.14 25.0 -52
SHB301 5.0 0.500 0.20 25.0 -50
SHB302 5.0 0.500 0.12 25.0 -48
SHB303 5.0 0.500 0.14 25.0 -45
SHB304 5.0 0.525 0.15 25 -52
SHB305 5.0 0.525 0.15 25.0 -50
SHB306 5.0 0.525 0.12 25.0 -48
SHB307 5.0 0.525 0.14 25.0 -45
SHB308 6.0 0.550 0.14 25.0 -52
SHB309 6.0 0.550 0.15 25.0 -50
SHB310 6.0 0.550 0.14 25.0 -48
SHB311 6.0 0.550 0.25 25.0 -45
SHB312 6.0 0.600 0.21 25.0 -48
SHB313 6.0 0.600 0.15 25.0 -45
SHB314 6.0 0.600 0.12 25.0 -42
SHB315 6.0 0.600 0.15 25.0 -40

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