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Diodes à barrière Schottky en SiC : Série SiC, Série PCD Agrandir l'image

Diodes à barrière Schottky SiC : Série SiC, Série PCD | Panjit

Les diodes à barrière Schottky en SiC avec un faible Vf et un courant de récupération inverse nul garantiraient une température de système plus froide dans les conditions de fonctionnement difficiles des systèmes de conversion de puissance.

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Description

Les diodes à barrière Schottky SiC avec un faible Vf et un courant de récupération inverse nul garantiraient une température de système plus froide dans les conditions de fonctionnement difficiles des systèmes de conversion de puissance.

Caractéristiques :

  • Comportement de commutation indépendant de la température
  • Faible perte de conduction et de commutation
  • Capacité de courant de choc élevé
  • Coefficient de température positif sur VF
  • Rétablissement rapide de l'inversion

Données mécaniques :

  • Boîtier : Plastique moulé, TO-220AC
  • Marquage : 05A120T

Avantages :

  • Fonctionnement à haute fréquence
  • Rendement supérieur du système
  • Protection de l'environnement
  • Commodité des dispositifs parallèles
  • Commutation dure et haute fiabilité
  • Application haute température

Références et spécifications :

Part NumberProduct StatusAEC-Q101 QualifiedVRRM VIF AVF Typ. V@IF AIR Max. µA@VR VPD WQC nCPackage
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 PCDP08120G1Active-120081,58601200135,132TO-220AC
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 SiC10A065TNSND-650101,5107065011518TO-220AC
 SiC02A065T-AUNSNDY65021,5250650686TO-220AC
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 SiC05A120TNSND-120051,6510012008214TO-220AC
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Demarche commerciale
Expertise
Veille et Suivi
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