Description
Les diodes Schottky en carbure de silicium sont des composants électroniques avancés conçus pour offrir des performances supérieures en termes de rectification et de commutation rapide. Elles sont idéales pour les applications nécessitant une haute efficacité énergétique et une gestion thermique optimisée.
Avantages :
- Haute efficacité énergétique grâce à des pertes de commutation quasi nulles.
- Réduction des besoins en dissipateurs thermiques.
- Fonctionnement à haute fréquence permettant des conceptions plus compactes et plus légères.
- Absence de courant de récupération inverse, ce qui améliore la fiabilité et la durée de vie des systèmes.
- Possibilité de mise en parallèle sans risque de fuite thermique.
Caractéristiques Principales :
- Tension de crête inverse répétitive (VRRM) : 1200 V
- Courant continu direct (IF) : jusqu'à 60 A selon le modèle
- Charge capacitive totale (QC) : varie de 14 nC à 126 nC
- Résistance thermique (RθJC) : de 0.21 °C/W à 2.9 °C/W
- Tension directe (VF) : typiquement entre 1.4 V et 1.9 V à 25°C
- Courant inverse (IR) : typiquement entre 1 µA et 15 µA à 25°C
Applications :
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Convertisseurs DC/DC et AC/DC
- Inverters pour systèmes solaires
- Chargeurs de batteries
- Diodes de roue libre dans les onduleurs
- Diodes de boost dans les circuits de correction du facteur de puissance (PFC)
Spécifications et modèles disponibles :
| Part Number | Type | Package | Blocking Voltage (V) | Current (A) | Tjmax (℃) |
|---|
| HCD5G02120A |
SiC SBD |
TO-220-2 |
1200 |
2 |
155 |
| HCD5G04065A |
SiC SBD |
TO-220-2 |
650 |
4 |
153 |
| HCD5G06065M |
SiC SBD |
DFN8*8 |
650 |
6 |
159 |
| HCD5G120120P |
SiC SBD |
SOT-227 |
1200 |
120 |
158 |
| HCD5G16120D |
SiC SBD |
TO-247-3 |
1200 |
16 |
155 |
| HCD5G20120D |
SiC SBD |
TO-247-3 |
1200 |
20 |
152 |
| HCD5G20120H |
SiC SBD |
TO-247-2 |
1200 |
20 |
150 |
| HCD5G40120D |
SiC SBD |
TO-247-3 |
1200 |
40 |
151 |
| HCD5G40120H |
SiC SBD |
TO-247-2 |
1200 |
40 |
155 |
| HCD5G60120H |
SiC SBD |
TO-247-2 |
1200 |
60 |
144 |
| HCM2G0040120D |
SiC MOSFET |
TO-247-3 |
1200 |
75 |
37 |
| HCM2G0040120K |
SiC MOSFET |
TO-247-4 |
1200 |
75 |
37 |
| HCM2G0080120D |
SiC MOSFET |
TO-247-3 |
1200 |
42 |
75 |
| HCM2G0080120K |
SiC MOSFET |
TO-247-4 |
1200 |
42 |
75 |
| HCM2G0650170D |
SiC MOSFET |
TO-247-3 |
1700 |
9 |
650 |
| HCM2G0650170F |
SiC MOSFET |
TO-220F-3 |
1700 |
|
175 |
| HCM2G0650170J |
SiC MOSFET |
TO-263-7 |
1700 |
|
175 |
