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Nouveau Oscillateur OCXO thermostabilisé, haute stabilité & faible bruit de phase (3.3 V - 30 V) : série Golledge Agrandir l'image

Oscillateur OCXO thermostabilisé, haute stabilité & faible bruit de phase (3.3 V - 30 V) : série HCD | GOLLEDGE

Les OCXO (Oven Controlled Crystal Oscillators) de la gamme Golledge sont des oscillateurs à quartz thermostabilisés conçus pour fournir une référence d’horloge à très haute stabilité et faible bruit de phase.

Plus de détails

Description

Les OCXO (Oven Controlled Crystal Oscillators) de la gamme Golledge sont des oscillateurs à quartz thermostabilisés conçus pour fournir une référence d’horloge à très haute stabilité et faible bruit de phase. Grâce à un four de régulation thermique intégré et à une architecture soignée (AT-cut ou SC-cut selon variantes), ils garantissent une dérive minimale dans le temps et face aux variations d’environnement. La famille couvre différents formats mécaniques (SMD et DIP), des plages de fréquence typiquement de quelques MHz à plusieurs dizaines de MHz, et des options de sorties numériques ou sinusoïdales pour une intégration directe dans les équipements RF, télécom et instrumentation.

Avantages :

  • Stabilité de fréquence de niveau ppb grâce au four thermostatique et à la sélection de quartz haute qualité.
  • Faible bruit de phase pour les systèmes sensibles au jitter (synthèse RF, horloges de réseaux, convertisseurs haute résolution).
  • Vieillissement maîtrisé (aging), garantissant une excellente tenue long terme et une prévisibilité en maintenance.
  • Large gamme de boîtiers (SMD/DIP, compacts ou industriels) pour s’adapter aux contraintes d’encombrement.
  • Souplesse d’alimentation (3,3 V ou 5 V selon modèles) et multiples types de sorties (HCMOS, clipped-sine, sinusoïdal).
  • Option EFC (Electronic Frequency Control) pour l’ajustement fin et l’asservissement en fréquence.
  • Robustesse environnementale : versions étendues en température, tenue aux chocs/vibrations pour applications industrielles.

Caractéristiques principales :

  • Technologie : oscillateur à quartz à four régulé (OCXO), versions AT-cut / SC-cut selon besoins de stabilité/bruit.
  • Fréquences : typiquement de quelques MHz à plusieurs dizaines de MHz, fondamentales ou harmoniques selon modèles.
  • Stabilité : niveau ppb (ex. ±5 / ±10 / ±20 ppb selon déclinaison, température et fenêtre d’utilisation).
  • Vieillissement : faible drift annuel avec profil de vieillissement maîtrisé pour le maintien de la précision temporelle.
  • Bruit de phase : optimisé pour timing réseau, synthèse locale, liens micro-ondes et mesures haute dynamique.
  • Sorties : HCMOS / clipped-sine / sinusoïdal (50 Ω), niveaux compatibles logique 3,3 V ou 5 V selon versions.
  • Alimentation : 3,3 V ou 5 V (consommation incluant le four), warm-up avec stabilisation rapide.
  • Contrôle de fréquence : EFC (tension de contrôle) pour ± ajustement autour de la fréquence nominale.
  • Conditionnement : boîtiers hermétiques SMD ou DIP (formats compacts à industriels), brochage standard.

Applications typiques :

  • Télécom & réseaux : stations de base, horloges de synchronisation (SyncE/PTP), backhaul micro-ondes.
  • GNSS & timing : holdover, récepteurs de précision, équipements d’horodatage.
  • Instrumentation & test : analyseurs, générateurs RF, mesures à faible jitter, étalons locaux.
  • Défense, aéro, spatial : liaisons sécurisées, radars, charges utiles, architectures à très faible phase noise.
  • Industrie & énergie : systèmes de contrôle, synchronisation d’onduleurs, convertisseurs de puissance.

Informations complémentaires :

La gamme OCXO Golledge se décline en profils axés haute stabilité, faible bruit de phase, format compact ou plage de température étendue. Les options de sortie, tension d’alimentation et EFC permettent d’aligner le composant sur l’architecture système (PLL, synthèse RF, timing réseau). ES France accompagne le dimensionnement (stabilité, bruit de phase, aging, boîtier, EFC) et la qualification environnementale.

Spécifications et modèles disponibles :

RéférenceType de sortieAlimentationPlage de fréquenceBoîtier / DimensionsParticularités / Options
GOXO-149 LVCMOS — 10.0–80.0 MHz 14.0 × 9.0 × 8.51 mm (SMD) Miniature SMD, EFC optionnelle, pour base stations / VSAT
HCD181 CMOS / TTL Oven 12 V + Osc 12 V (séparés) 30.0 kHz–5.0 MHz 46 × 36 × 15 mm Low profile
HCD191 CMOS / TTL 12 V (alimentation unique) 30.0 kHz–5.0 MHz 46 × 36 × 15 mm Version simple alim du HCD181
HCD210 Sinusoïdale — (alimentation unique) 5.0–100.0 MHz Châssis Multiplicateur interne > 50 MHz
HCD220 Sinusoïdale — 5.0–16.0 MHz Châssis Sorties RF doubles disponibles
HCD280 CMOS / Sine — 30.0–100.0 MHz — Stabilité & faible bruit de phase
HCD300 Sinusoïdale 5 V (four + osc) 5.0–20.0 MHz 36 × 27 × 15 mm Compact low profile
HCD301 CMOS / TTL 5 V 5.0–20.0 MHz 36 × 27 × 15 mm Compact low profile
HCD310 Sinusoïdale 12 V (15/18 V en option) 5.0–60.0 MHz 36 × 27 × 15 mm Large plage de fréquence
HCD311 CMOS / TTL 12 V 5.0–50.0 MHz 36 × 27 × 15 mm Alimentation unique
HCD331 CMOS 5 V 13.0–20.0 MHz Low height Boîtier compact
HCD350 Sinusoïdale 5 V 5.0–20.0 MHz 36 × 27 × 19.4 mm Très faible dérive
HCD351 CMOS / TTL 5 V 5.0–20.0 MHz 36 × 27 × 19.4 mm Très faible dérive
HCD360 Sinusoïdale 12 V (15/18 V en option) 5.0–20.0 MHz 36 × 27 × 19.4 mm Bon aging, faible bruit
HCD361 CMOS 12 V (15/18 V en option) 5.0–20.0 MHz 36 × 27 × 19.4 mm Compact
HCD370 Sinusoïdale 12 V (15/18 V en option) 5.0–20.0 MHz 36 × 27 × 15.5 mm (low height) Faible bruit de phase
HCD371 CMOS 12 V (15/18 V en option) 5.0–20.0 MHz 36 × 27 × 16.0 mm (low height) Faible bruit de phase
HCD380 Sinusoïdale 12 V (15/18 V en option) 30.0–100.0 MHz 36 × 27 × 15.5 mm Très hautes fréquences, très faible PN
HCD381 CMOS 12 V (15/18 V en option) 30.0–100.0 MHz 36 × 27 × 15.5 mm Plancher de bruit très bas
HCD660 (51×41) Sinusoïdale 12 V (12–30 V option) 5.0–20.0 MHz 51 × 41 × 25 mm Haute perf., pin-out européen
HCD661 CMOS 12–15 V 5.0–20.0 MHz 51 × 41 × 25 mm Robuste
HCD665 Sinusoïdale 12 V (12–30 V option) 5.0–20.0 MHz 51 × 41 × 25 mm Warm-up rapide
HCD666 CMOS 12 V (12–30 V option) 5.0–20.0 MHz 51 × 41 × 25 mm Low PN proche porteuse
HCD660 (51×51) Sinusoïdale 12 V (12–30 V option) 5.0–20.0 MHz 51 × 51 × 25 mm Variante grand boîtier
HCD681 CMOS 12 V (12–30 V option) 5.0–20.0 MHz — Boîtier robuste
HCD685 Sinusoïdale 12 V (12–30 V option) 5.0–20.0 MHz — —
HCD686 CMOS 12 V (12–30 V option) 5.0–20.0 MHz — —
MCOCXO CMOS 12 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 (SMD en option) Warm-up rapide
MCOCXOS Sinusoïdale 12 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Warm-up rapide
MCOCXOV CMOS 5 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Stabilité serrée (options)
MCOCXOVS Sinusoïdale 5 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Warm-up rapide
MCOCXOW CMOS 3.3 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Stabilité serrée (options)
MCOCXOWS Sinusoïdale 3.3 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Warm-up rapide
OCXOVST (5 V) CMOS 5 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Stratum 3 compliant
OCXOVT-S — 5 V 10.0 kHz–54.0 MHz — Spécifique Cospas-Sarsat
OCXOVST (3.3 V) CMOS 3.3 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Stratum 3 compliant
SCOCXO CMOS 12 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Robuste
SCOCXOHSV Sinusoïdale — 10.0–120.0 MHz — PN excellent @100 MHz, plancher ~ −160 dBc/Hz @10 MHz, fondamental
SCOCXOHSW CMOS 3.3 V 10.0–120.0 MHz — Haute fréquence, PN excellent
SCOCXOHV CMOS — 10.0–120.0 MHz — PN excellent @100 MHz
SCOCXOHW CMOS 3.3 V 10.0–120.0 MHz — Haute fréquence
SCOCXOL CMOS — 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Warm-up très rapide, faible conso
SCOCXOLV CMOS — 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Warm-up rapide, low power
SCOCXOLW CMOS — 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Warm-up rapide, low power
SCOCXOV (5 V) CMOS 5 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Options de stabilité serrée
SCOCXOVS (5 V) Sinusoïdale 5 V 10.0 kHz–54.0 MHz DIL-14 / SMD Start-up rapide

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