Description
Cette gamme de modules mémoire DDR3 industriels au format Unbuffered SO-DIMM associe une basse tension d’alimentation (1,35 V) à une plage de température étendue, répondant aux contraintes des systèmes embarqués compacts exposés à des environnements sévères. Les capacités s’étendent de 1 GB à 8 GB, avec des débits de 1600 à 1866 MT/s, garantissant compatibilité et pérennité des plateformes DDR3.
Avantages :
- Basse tension 1,35 V pour réduire consommation et dissipation thermique
- Température étendue pour environnements industriels contraints
- Format SO-DIMM idéal pour systèmes embarqués à faible encombrement
- Débits jusqu’à 1866 MT/s pour des performances DDR3 élevées
- Capacités de 1 GB à 8 GB pour un dimensionnement précis
Caractéristiques principales :
- Technologie : DDR3
- Type de module : Unbuffered SO-DIMM
- Tension : 1,35 V (basse tension)
- Plage thermique : Température étendue
- Débit : 1600 / 1866 MT/s
- Capacité : 1 GB / 2 GB / 4 GB / 8 GB
- Organisation (selon modèle) : (128Mx8)x8, (128Mx8)x16, (256Mx8)x8, (256Mx8)x16, (512Mx8)x8, (512Mx8)x16
Applications typiques :
Ces mémoires DDR3 SO-DIMM basse tension à température étendue sont destinées aux systèmes embarqués critiques nécessitant une stabilité maximale malgré des conditions d’exploitation exigeantes.
- PC industriels compacts et fanless
- Systèmes embarqués x86
- Équipements edge et passerelles industrielles
- Bancs de test et instrumentation compacte
- Maintenance et prolongation de vie de plateformes DDR3
Pourquoi choisir cette gamme :
La combinaison basse consommation et robustesse thermique fait de ces modules DDR3 SO-DIMM industriels une solution de référence pour les environnements embarqués contraints. Ils assurent fiabilité, compatibilité et continuité d’approvisionnement pour les projets critiques. ES France vous accompagne pour sélectionner la capacité et l’organisation mémoire les plus adaptées.
Spécifications et modèles disponibles :
| Référence | RAM | Type de module | Vitesse (MT/s) | Tension | Température | Capacité | Organisation |
|---|
| TS1GSK64W8H-I |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1866 |
1.35V |
Température étendue |
8GB |
(512Mx8)x16 |
| TS512MSK64W8H-I |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1866 |
1.35V |
Température étendue |
4GB |
(512Mx8)x8 |
| TS256MSK64W8U-I |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1866 |
1.35V |
Température étendue |
2GB |
(128Mx8)x16 |
| TS1GSK64W6H-I |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
Température étendue |
8GB |
(512Mx8)x16 |
| TS512MSK64W6H-I |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
Température étendue |
4GB |
(512Mx8)x8 |
| TS512MSK64W6N-I |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
Température étendue |
4GB |
(256Mx8)x16 |
| TS256MSK64W6N-I |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
Température étendue |
2GB |
(256Mx8)x8 |
| TS256MSK64W6U-I |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
Température étendue |
2GB |
(128Mx8)x16 |
| TS128MSK64W6U-I |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
Température étendue |
1GB |
(128Mx8)x8 |
