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Transformateur CMS pour IGBT/FET, 100 à 400 kHz - série B8280F E13 EM | TDK - EPCOS

Transformateur CMS pour IGBT/FET série B8280*F E13 EM, 100 à 400 kHz, isolation 2500 VAC, température -40 °C à +150 °C, pour alimentations et convertisseurs DC/DC isolés.

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Description

La série B8280*F E13 EM de TDK regroupe des transformateurs CMS pour IGBT/FET, conçus pour les alimentations DC/DC, les convertisseurs DC/DC isolés et les transformateurs de commande de grille pour IGBT/MOSFET.

Ces transformateurs utilisent un noyau ferrite MnZn, des broches CMS gullwing et un fil triple isolation. Leur format compact, avec une empreinte de 18,6 x 14,6 mm et une hauteur maximale de 12 mm, permet leur intégration dans des cartes électroniques de puissance à forte densité.

La série est adaptée à une plage de fréquence typique de 100 à 400 kHz et à une température de fonctionnement composant de -40 °C à +150 °C.

Avantages

  • Format CMS compact avec empreinte de 18,6 x 14,6 mm.
  • Hauteur maximale de 12 mm pour les conceptions électroniques compactes.
  • Large plage de température de -40 °C à +150 °C.
  • Qualification AEC-Q200 REV E indiquée dans la fiche technique.
  • Compatibilité RoHS.
  • Compatible avec le brasage par refusion sans plomb selon JEDEC J-STD-020F.
  • Fil triple isolation pour les architectures nécessitant une isolation renforcée ou de base selon les conditions spécifiées.
  • Conditionnement en bobine de 180 pièces.

Caractéristiques principales

  • Série : B8280*F E13 EM
  • Type de composant : transformateur pour IGBT/FET
  • Construction : noyau ferrite MnZn
  • Montage : CMS avec broches gullwing
  • Capot supérieur : capot non conducteur pour préhension automatique
  • Fil : triple isolation
  • Empreinte : 18,6 x 14,6 mm
  • Hauteur maximale : 12 mm
  • Fréquence typique de fonctionnement : 100 à 400 kHz
  • Température de fonctionnement composant : -40 °C à +150 °C
  • Distance de fuite primaire / secondaire : 6,3 mm
  • Distance d’isolement primaire / secondaire : 5,5 mm
  • Tension d’essai primaire / secondaire : 2500 VAC, 50 Hz
  • Tension d’extinction de décharge partielle : 900 V crête, décharge inférieure à 10 pC
  • Résistance d’isolement : 100 MΩ à 500 VDC pendant 1 minute
  • Poids approximatif : 3,2 g
  • Conditionnement : 180 pièces par bobine

Applications typiques

  • Alimentations DC/DC.
  • Convertisseurs DC/DC isolés en topologie retour d’énergie ou push-pull.
  • Transformateurs de commande de grille pour IGBT/MOSFET.

Comparatif des modèles de la série B8280*F E13 EM

RéférenceTypeRapport de transformationFréquence typiqueInductance principaleCourant de saturation ou produit tension-temps
B82802F0007A213 Retour d’énergie 1 : 1 : 0,5 100 à 400 kHz 30 µH ±10 % 2 A
B82802F0004A213 Retour d’énergie 1 : 2 : 2 100 à 400 kHz 14,4 µH ±15 % 1,6 A
B82802F0005A113 Retour d’énergie 1 : 1 100 à 400 kHz 1,8 µH ±10 % 9 A
B82804F0503A200 Push-pull 1 : 3,78 : 1,55 100 à 400 kHz 50 µH min. 24 / 48 µVs
B82804F0114A200 Push-pull 1 : 1 : 1,5 : 1,5 100 à 400 kHz 110 µH min. 38 / 75 µVs
B82804F0244A210 Push-pull 1 : 1 : 1 100 à 400 kHz 240 µH min. 50 / 100 µVs

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