Description
Cette gamme de modules mémoire DDR3 industriels au format Unbuffered SO-DIMM est optimisée pour les systèmes embarqués compacts et plateformes industrielles recherchant une réduction de la consommation énergétique. Fonctionnant en 1,35 V (basse tension), elle couvre des capacités de 1 GB à 8 GB et des débits de 1333 à 1866 MT/s, assurant compatibilité, stabilité et pérennité des architectures DDR3.
Avantages :
- Basse tension 1,35 V pour limiter la consommation et l’échauffement
- Format SO-DIMM adapté aux systèmes embarqués à faible encombrement
- Débits jusqu’à 1866 MT/s pour maximiser les performances DDR3
- Capacités de 1 GB à 8 GB pour un dimensionnement précis
- Large compatibilité avec plateformes industrielles DDR3 existantes
Caractéristiques principales :
- Technologie : DDR3
- Type de module : Unbuffered SO-DIMM
- Tension : 1,35 V (basse tension)
- Débit : 1333 / 1600 / 1866 MT/s
- Type : Standard
- Capacité : 1 GB / 2 GB / 4 GB / 8 GB
- Organisation (selon modèle) : (128Mx8)x16, (256Mx8)x8, (256Mx8)x16, (512Mx8)x8, (512Mx8)x16, (256Mx16)x4
Applications typiques :
Ces mémoires DDR3 SO-DIMM basse tension sont conçues pour les environnements où la sobriété énergétique et la fiabilité à long terme sont essentielles.
- PC industriels compacts et fanless
- Systèmes embarqués x86
- Solutions edge computing et passerelles industrielles
- Bancs de test et instrumentation compacte
- Maintenance et retrofit de plateformes DDR3
Pourquoi choisir cette gamme :
Grâce à leur basse tension 1,35 V, ces modules DDR3 SO-DIMM industriels permettent de réduire la consommation globale du système et d’améliorer la stabilité thermique, tout en conservant des performances élevées jusqu’à 1866 MT/s. Ils constituent une solution fiable pour prolonger la durée de vie des plateformes embarquées DDR3. ES France vous accompagne pour sélectionner la capacité et l’organisation mémoire adaptées à votre architecture.
Spécifications et modèles disponibles :
| Référence | RAM | Type de module | Vitesse (MT/s) | Tension | Capacité | Organisation |
|---|
| TS1GSK64W8H |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1866 |
1.35V |
8GB |
(512Mx8)x16 |
| TS512MSK64W8H |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1866 |
1.35V |
4GB |
(512Mx8)x8 |
| TS256MSK64W8N |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1866 |
1.35V |
2GB |
(256Mx8)x8 |
| TS256MSK64W8U |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1866 |
1.35V |
2GB |
(128Mx8)x16 |
| TS1GSK64W6H |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
8GB |
(512Mx8)x16 |
| TS512MSK64W6H |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
4GB |
(512Mx8)x8 |
| TS512MSK64W6N |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
4GB |
(256Mx8)x16 |
| TS256MSK64W6N |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
2GB |
(256Mx8)x8 |
| TS256MSK64W6X |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
2GB |
(256Mx16)x4 |
| TS256MSK64W6U |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1600 |
1.35V |
2GB |
(128Mx8)x16 |
| TS512MSK64W3N |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1333 |
1.35V |
4GB |
(256Mx8)x16 |
| TS256MSK64W3N |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1333 |
1.35V |
2GB |
(256Mx8)x8 |
| TS128MSK64W3W |
DDR3 |
Unbuffered SO-DIMM |
1333 |
1.35V |
1GB |
(128Mx16)x4 |
