Plus de 80 FET SiC, JFET et diodes Schottky chez Qorvo

SiC FET, 650-1200 V_DS

Les FET en carbure de silicium (SiC) haute performance de Qorvo offrent la meilleure vitesse de commutation de leur catégorie, des pertes de commutation plus faibles, un rendement plus élevé, des boîtiers standard à trous traversants (y compris Kelvin) et des boîtiers pour montage en surface, avec un excellent rapport coût-efficacité.

Ces FET sont basés sur une configuration cascode unique où un JFET rapide SiC haute performance est co-packagé avec un Si-MOSFET optimisé pour le cascode, permettant le fonctionnement d'un dispositif SiC à commande de grille standard.

• La majorité de ces dispositifs sont qualifiés AEC-Q101

SiC JFET, 650-1700 V_DS

Les JFET en carbure de silicium (SiC) de Qorvo sont des transistors JFET à haute performance, normalement activés, de 650 à 1700 V, avec une résistance à l'activation ultra-faible (RDS(on)) aussi basse que 25 mohms.

La charge de grille (QG) est également faible, ce qui permet une faible conduction et une perte de commutation réduite.

• Ces produits sont également idéaux pour les applications de protection des circuits.
• La majorité de ces dispositifs sont qualifiés AEC-Q101

SiC Diode MPS, 650-1700 V_DS

Les diodes en carbure de silicium (SiC) de Qorvo sont des diodes Merged-PiN-Schottky (MPS) de haute performance avec d'excellentes caractéristiques IFSM (surge).

• Avec une charge de récupération inverse nulle et une température de jonction maximale de 175°C, ces diodes Schottky de 650 V, 1200 V et 1700 V conviennent parfaitement aux systèmes d'alimentation à haute fréquence et à haut rendement avec des exigences minimales en matière de refroidissement

Caractéristiques SiC FET :

• Options de dispositifs 650 / 750 / 1200 / 1700 V
• Options de RDS(on) les plus faibles de l'industrie, de 6 à 410 mohms
• Nouveaux FET SiC Gen 4 750 V et 1200 V
• Configuration cascode haute performance
• Excellente performance de la diode de corps (Vf < 2V)
• Commande avec n'importe quelle tension de commande de grille Si et/ou SiC
• Boîtiers TO-220-3L ; TO-247-3L & 4L ; D2PAK-3L & 7L

Caractéristiques SiC JFET :

• Options d'appareils 650 / 900 / 1200 / 1700 V
• Faible résistance à l'enclenchement : RDS(on) de 25 mohms
• Limitation du courant : diminution rapide du courant en raison de l'auto-échauffement, limitation de I2t
• JFETs normalement activés : VG(th) invariant avec la température
• Conforme à la directive RoHS

Caractéristiques SiC Diode MPS :

• Excellent classement IFSM (surge) de tous les fournisseurs
• Résistance thermique élevée
• Liaison frittée à l'Ag
• Image de mérite VF*Qc la meilleure de sa catégorie
• Courants nominaux élevés : 25 A / 1700 V, 100 A / 1200 V, 200 A / 650 V
• Pas de récupération à l'envers ou à l'endroit
• Qualifié AEC-Q101

Applications typiques SiC FET :

• Chargement de véhicules électriques (EV)
• Onduleurs photovoltaïques (PV)
• Alimentations à découpage
• Alimentations industrielles
• Alimentation des télécommunications et des serveurs
• Modules de correction du facteur de puissance
• Entraînements de moteurs
• Chauffage par induction

Applications typiques SiC JFET :

• Circuits de protection contre les surintensités
• Onduleurs DC/DC
• Alimentations à découpage
• Modules de correction du facteur de puissance
• Entraînements de moteurs
• Chauffage par induction

Applications typiques SiC Diode MPS:

• Convertisseurs de puissance
• Entraînements de moteurs industriels
• Alimentations à découpage
• Modules de correction du facteur de puissance