Plus de 80 FET SiC, JFET et diodes Schottky chez Qorvo
Ces FET sont basés sur une configuration cascode unique où un JFET rapide SiC haute performance est co-packagé avec un Si-MOSFET optimisé pour le cascode, permettant le fonctionnement d'un dispositif SiC à commande de grille standard.