Note d'application dédiée aux tests à double impulsion avec le générateur de fonctions arbitraires AFG31000

​Les matériaux semi-conducteurs utilisés dans l'électronique de puissance passent du silicium aux semi-conducteurs à large bande tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) en raison de leurs performances supérieures dans les applications automobiles et industrielles.

Le GaN et le SiC permettent des conceptions plus petites, plus rapides et plus efficaces. 

Lors de la conception de convertisseurs de puissance, une perte de puissance de 0% est l’ideal.Mais les pertes de commutation sont inévitables. L’objectif est de minimiser les pertes en optimisant la conception.Les paramètres liés à l’efficacité doivent être rigoureusement mesurés. 
La méthode de test adéquate pour mesurer les pertes de commutation de MOSFETs ou d’IGBT est la méthode du « Test Double Pulse » .

Cette note d’application décrira le test Double Pulse et comment le mettre en place.

​Paramètres de perte de commutation abordés :

• Turn-on Parameters

• Turn-off parameters

• Reverse Recovery Parameters

• …

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