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Transistor discret en nitrure de gallium (GaN) : Série QPD, TxG, TGF Agrandir l'image

Transistor discret en nitrure de gallium (GaN) : Série QPD, TxG, TGF | QORVO

Une fiabilité record qui dépasse les normes industrielles précédentes

Plus de détails

Description

Qorvo offre une large gamme de transistors discrets en nitrure de gallium (GaN) avec différents niveaux de puissance, de tension et de fréquence, à la fois sous forme de puce et de boîtier. Nos produits offrent les hautes performances du GaN ainsi que la commodité d'un conditionnement standard, ce qui accélère la conception et la fabrication, le tout soutenu par une fiabilité de premier ordre.

Caractéristiques principales :

  • Rendement et densité de puissance élevés
  • Gain supérieur
  • Robustesse et capacité à fonctionner sur une large bande passante
  • Une fiabilité record qui dépasse les normes industrielles précédentes
  • Expertise de conception en tant que pionnier de la technologie GaN

Applications typiques :

  • Radars militaires et civils
  • Radiocommunications professionnelles et militaires
  • Instrumentation de test
  • Amplificateurs à large bande ou à bande étroite
  • Jammers
  • Station de base : station émettrice-réceptrice de base, répéteurs, picocellules, réseaux de macrocellules

Références et spécifications :

Part # Description Frequency Min
MHz		 Frequency Max
MHz		 Type Gain
dB		 Psat
dBm		 PAE
%		 Drain Efficiency
%		 Vd
V		 Idq
mA		 Package Type Package
mm
QPD0005 2.5 - 5.0 GHz, 8 Watt, 48 Volt GaN RF Transistor 2,500 5,000 18.8 39.4 72.9 48 12 DFN 4.5 x 4.0
QPD0007 DC - 5 GHz, 20 Watt, 48 Volt, GaN RF Transistor DC 5,000 19 43 73 48 32.5 DFN 4.5 x 4.0
QPD0020 DC - 6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor DC 6,000 18.8 45.4 77.8 48 30 QFN 4.0 x 3.0
QPD0030 DC - 5 GHz, 45 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor DC 5,000 22.3 46.9 71.5 48 85 QFN 4.0 x 3.0
QPD0050 DC - 3.6 GHz, 75 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,600 22.5 48.7 80 48 130
QPD0060 DC - 3.6 GHz, 90 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,600 25 49.5 73 48 150
QPD1003 1.2 - 1.4 GHz, 500 Watt, 50 Volt, GaN RF IMFET 1,200 1,400 19.9 57.3 66.7 50 750 RF-565
QPD1004A 25W, 30-1200 MHz, GaN RF Input-Matched Transistor 30 1,000 Input-Matched 17 43.4 58 50 QFN 6.0 x 5.0 x 0.85
QPD1006 450 Watt, 50 Volt, 1.2 - 1.4 GHz GaN IMFET 1,200 1,400 17.5 54.9 45 750 Ni50-CW 19 x 17.68 x 4.49
QPD1008 DC - 3.2 GHz, 125 Watt, 50 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,200 > 17 52 70 50 260 NI-360
QPD1008L DC - 3.2 GHz, 125 Watt, 50 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,200 > 17 52 70 50 260 NI-360
QPD1009 DC - 4 GHz, 15 Watt, 50 Volt GaN RF Transistor DC 4,000 24 42.3 72 50 26 QFN 3 x 3
QPD1010 DC - 4 GHz, 10 Watt, 50 Volt GaN RF Transistor DC 4,000 24.7 40.4 70 50 18 QFN 3 x 3
QPD1011A 7W, 30-1200 MHz, GaN RF Input-Matched Transistor 50 1,000 Input-Matched 12.8 37.8 38 50 QFN 6.0 x 5.0 x 0.85
QPD1013 DC - 2.7 GHz, 150 Watt, 65 Volt GaN RF Transistor DC 2,700 21.8 64.8 65 240 DFN 7.2 x 6.6
QPD1014A 15W, 30-1200 MHz, GaN RF Input-Matched Transistor 30 1,000 Input-Matched 15.5 40.8 53 50 QFN 6.0 x 5.0 x 0.85
QPD1015 DC - 3.7 GHz, 65 Watt, 50 V GaN RF Power Transistor DC 3,700 20 48.5 74 50 65 NI-360
QPD1015L DC - 3.7 GHz, 65 Watt, 50 V GaN RF Power Transistor DC 3,700 20 48.5 74 50 65 NI-360
QPD1016 500 Watt, 50 Volt, DC - 1.7 GHz, GaN RF Transistor DC 1,700 23.9 58.3 77.4 50 1,000 NI-780
QPD1016L 500 Watt, 50 Volt, DC - 1.7 GHz, GaN RF Transistor DC 1,700 15 57.3 67 50 1,000 NI-780
QPD1022 DC - 12 GHz, 10 Watt, 32 V GaN RF Transistor DC 12,000 24 68.8 32 50 QFN 3.0 x 3.0
QPD1025 1800 Watt, 65 Volt, .96 - 1.215 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor 960 1,215 22.5 62.7 77.2 65 1,500 NI-1230 (Earless)
QPD1025L 1800 Watt, 65 Volt, .96 - 1.215 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor 960 1,215 22.5 62.7 77.2 65 1,500 NI-1230 (Eared)
QPD1026L 1300 Watt, 65 Volt, 420 - 450 MHz GaN RF Input-Matched Transistor 420 450 Input-Matched 25.9 61.2 80.8 65 1,500 NI-1230 (Eared)
QPD1028 1.2 - 1.4 GHz, 750 Watt, 65 Volt, GaN on SiC RF Transistor 1,200 1,400 18 59 70 65 750 NI-780 20.57 x 9.78 x 3.63
QPD1028L 1.2 - 1.4 GHz, 750 Watt, 65 Volt GaN on SiC RF Transistor 1,200 1,400 18 59 70 65 750 NI-780 20.57 x 9.78 x 3.63
QPD1029L 1500 Watt, 65 Volt, 1.2 - 1.4 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor 1,200 1,400 61.8 75 65 1,500 NI-1230 (Eared)
QPD1035 DC-6 GHz, 40 Watt, 50 Volt GaN RF Power Transistor DC 6,000 12.1 (Gain at P3dB) 47 (P3dB) 52.2 50 65 4.1 x 5.1
QPD1035L DC-6 GHz, 40 Watt, 50 Volt GaN RF Power Transistor DC 6,000 12.1 (Gain at P3dB) 47 (P3dB) 52.2 50 65 4.1 x 13.97
T1G4020036-FL DC - 3.5 GHz, 2 x 200 Watt, 50 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,500 18.1 2 x 53.0 67.6 50 520 NI-650
T1G4020036-FS DC - 3.5 GHz, 2 x 200 Watt, 50 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,500 18.1 2 x 53.0 67.6 50 520 NI-650
T2G4005528-FS DC - 3.5 GHz, 55 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 3,500 16 47.2 > 52 28 200 NI-360
T2G6000528-Q3 DC - 6 GHz, 10 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 6,000 17 40 53 28 50 NI-200
T2G6001528-Q3 DC - 6 GHz, 15 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 6,000 15.5 42 > 72 28 100 NI-200
T2G6003028-FL DC - 6 GHz, 30 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 6,000 14 45 50 28 200 NI-200
T2G6003028-FS DC - 6 GHz, 30 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 6,000 14 45 50 28 200 NI-200
TGF2023-2-01 DC - 18 GHz, 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 18,000 18 38 71.6 12 to 32 25 to 125 Die
TGF2023-2-02 DC - 18 GHz, 12 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 18,000 21 40.1 73.3 12 to 32 50 to 250 Die
TGF2023-2-05 DC - 18 GHz, 25 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 18,000 18 43 78.3 12 to 32 100 to 500 Die
TGF2023-2-10 DC - 14 GHz, 50 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 14,000 19.8 47.3 69.5 12 to 32 200 to 1,000 Die
TGF2023-2-20 DC - 14 GHz, 100 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 14,000 19.2 50.5 70.5 12 to 32 400 to 2,000 Die
TGF2819-FL DC - 4.0 GHz, 200 Watt Peak, 40 Watt Avg.Power, 50 Volt, GaN RF Power Transistor DC 4,000 > 14 51 50 250 NI-360
TGF2819-FS DC - 4.0 GHz, 200 Watt Peak, 40 Watt Avg. Power, 50 Volt, GaN RF Power Transistor DC 4,000 > 14 51 50 250 NI-360
TGF2929-FL DC - 3.5 GHz, 100 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 3,500 > 14 50.3 > 50 28 260 NI-360
TGF2933 DC - 25 GHz, 7 Watt, 28 V GaN RF Transistor DC 25,000 15 38.6 57 28 80 die 0.83 x 0.55 x 0.10
TGF2954 DC - 12 GHz, 27 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 12,000 19.6 44.5 71.6 32 100 Die
TGF2965-SM 0.03 - 3 GHz, 5 Watt, 32 V, 50 Ohm GaN RF Input-Matched Transistor 30 3,000 18 37.8 63 32 25 QFN 3 x 3
TGF2977-SM DC - 12 GHz, 5 Watt, 32 V GaN RF Transistor DC 12,000 13 37.8 50 32 25 QFN 3 x 3
TGF2978-SM DC - 12 GHz, 20 Watt, 32 V GaN RF Transistor DC 12,000 11 42.8 46 32 100 QFN 4 x 3
TGF2979-SM DC - 12 GHz, 25 Watt, 32 Volt GaN RF Transistor DC 12,000 11 43.4 45 32 150 QFN 4 x 3
TGF3015-SM 0.03 - 3.0 GHz, 10 Watt, 32 Volt GaN RF Input-Matched Transistor 30 3,000 17 40.4 63 32 50 QFN 3 x 3
TGF3020-SM 4 - 6 GHz, 5 Watt, 32 V, 50 Ohm GaN RF Input-Matched Transistor 4,000 6,000 12.7 38.3 59.6 @ 5GHz 32 25 QFN 3 x 3
TGF3021-SM 0.03 - 4.0 GHz, 30 Watt, 32 V GaN RF Transistor 30 4,000 19 45 73 32 65 QFN 4 x 3

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