Les références de la série couvrent une plage de fréquence de 0,03 à 4,0 GHz, avec des puissances saturées allant de 3 W à 25 W selon les modèles. Cette gamme est adaptée aux applications LMR, PMR, MILCOM et radios tactiques.
Les entrées et sorties peuvent être appariées afin d’obtenir la puissance et le rendement adaptés à la bande de fréquence souhaitée. Des cartes d’évaluation, des nomenclatures et des circuits de polarisation de référence sont également disponibles selon les éléments fournis, afin de faciliter la validation et l’intégration.
Avantages
- Large bande de fréquence : couverture de 0,03 à 4,0 GHz pour les transistors principaux de la série.
- Puissances disponibles de 3 W à 25 W : choix de références adaptées à différents niveaux de puissance RF.
- Rendement élevé : rendement en puissance ajouté de 55 % ou supérieur selon les modèles.
- Architecture d’alimentation simplifiée : la référence TA9010K permet de supprimer le besoin d’un rail supplémentaire de 12 V, selon les éléments fournis.
- Support à l’intégration : cartes d’évaluation, nomenclatures et circuits de polarisation de référence disponibles selon les éléments fournis.
Caractéristiques principales
- Technologie : GaN.
- Plage de fréquence : 0,03 à 4,0 GHz.
- Gain linéaire à 0,9 GHz : de 17 à 20 dB selon les références.
- Puissance saturée à 0,9 GHz : de 3 W à 25 W selon les modèles.
- Rendement en puissance ajouté à 0,9 GHz : 55 % ou supérieur selon les références.
- Tension d’alimentation : 32 V ou 50 V selon les modèles.
- Signal de test : CW.
- Boîtiers disponibles : QFN 3 x 3, QFN 3 x 6 ou DFN 6 x 5 selon les références.
Applications typiques
- Radios mobiles privées.
- Radios de sécurité publique.
- Infrastructure cellulaire.
- Radios militaires.
- LMR.
- PMR.
- MILCOM.
- Radios tactiques.
Pourquoi choisir Transistors de puissance GaN large bande - 0,03 à 4,0 GHz : série TA9xx0
La série TA9xx0 permet de sélectionner un transistor de puissance GaN en fonction des contraintes de fréquence, de gain, de puissance, de rendement, de tension d’alimentation et de boîtier. Les références disponibles couvrent plusieurs niveaux de puissance, de 3 W à 25 W, afin de répondre à différents besoins d’intégration RF.
ES France accompagne les utilisateurs dans le choix du modèle, l’analyse des contraintes RF, la comparaison des références et l’orientation vers les cartes d’évaluation adaptées lorsque celles-ci sont nécessaires au projet.
Références et spécifications :
| Part Number / Reference Design |
Frequency |
Linear Gain |
PSAT @ 0.9 GHz |
PAE @ 0.9 GHz |
Voltage |
Test Signal |
| TA9010K |
0.03 – 4.0 GHz |
17 dB |
3 W |
55 % |
32 V |
CW |
| TA9110K |
0.03 – 4.0 GHz |
17 dB |
6 W |
55 % |
32 V |
CW |
| TA9110K-EVB-A |
30 - 2700 MHz |
@ 2000 MHz : 16 dB |
10 W |
53 % |
32 V |
CW |
| TA9110K-EVB-B |
30 - 512 MHz |
@ 300 MHz : 21 dB |
9 W |
60 % |
32 V |
CW |
| TA9110K-EVB-C |
3300 - 3800 MHz |
@ 3700 MHz : 13.5 dB |
Information non disponible |
50 % |
15 V, Class A |
Proprietary Signal with 9 dB PAPR |
| TA9110K-EVB-D |
1.5 - 1.8 GHz |
@ 1.7 GHz : 16 dB |
37 dBm at 1.7 GHz |
60 % at 37 dBm |
30 V |
CW |
| TA9210D |
0.03 – 4.0 GHz |
18 dB |
12.5 W |
55 % |
32 V |
CW |
| TA9210D-EVB-A |
30 - 2600 MHz |
@ 2400 MHz : 15.5 dB |
>12.5 W |
48 % |
32 V |
CW |
| TA9210D-EVB-B |
1.8 - 2.7 GHz |
@ 2700 MHz : 16 dB |
>4 W |
>45 % |
32 V |
LTE, 10 MHz BW, 9.5 dB PAPR |
| TA9210D-EVB-C |
30 - 512 MHz |
@ 300 MHz : 21 dB |
2 W |
Information non disponible |
28 V |
LTE, 4.5 MHz BW, 8 dB PAPR |
| TA9210D-EVB-D |
30 - 1000 MHz |
@ 500 MHz : 19.5 dB |
2 W |
Information non disponible |
28 V |
LTE, 4.5 MHz BW, 8 dB PAPR |
| TA9210D-EVB-E |
30 - 512 MHz |
@ 300 MHz : 19 dB |
12.5 W |
70 % |
32 V |
CW |
| TA9210D-EVB-F |
200 - 2700 MHz |
@ 2100 MHz : 15.5 dB |
10 W |
40 % |
20 V |
CW, LTE |
| TA9210D-EVB-G |
700 - 3700 MHz |
@ 3100 MHz : 13 dB |
10 W |
45 % |
28 V |
CW |
| TA9210D-EVB-H |
1200 - 2600 MHz |
@ 2400 MHz : 15 dB |
12.5 W |
55 % |
28 V |
CW |
| TA9210D-EVB-I |
3300 - 3800 MHz |
@ 3700 MHz : 14 dB |
Information non disponible |
Information non disponible |
36 V, Class AB |
Proprietary Signal with 9 dB PAPR |
| TA9210D-EVB-J |
3000 - 3500 MHz |
@ 3200 MHz : 13.5 dB |
>10 W |
>50 % |
28 V |
CW |
| TA9210D + TS7441L-EVB-K |
135 M - 175 M |
16.5 dB |
40 dBm |
50 % Pout = 38 dBm |
28 V |
155 MHz |
| TA9210D + TS7441L-EVB-K |
135 M - 175 M |
17 dB |
41 dBm |
55 % Pout = 40 dBm |
32 V |
155 MHz |
| TA9210D + TS7441L-EVB-K |
380 M - 450 M |
16.5 dB |
39 dBm |
55 % Pout = 38 dBm |
28 V |
450 MHz |
| TA9210D + TS7441L-EVB-K |
380 M - 450 M |
17 dB |
40 dBm |
55 % Pout = 39 dBm |
32 V |
450 MHz |
| TA9210D + TS7441L-EVB-K |
450 M - 520 M |
16.5 dB |
40 dBm |
51 % Pout = 39 dBm |
28 V |
485 MHz |
| TA9210D + TS7441L-EVB-K |
450 M - 520 M |
16.8 dB |
41 dBm |
51 % Pout = 40 dBm |
32 V |
485 MHz |
| TA9210D + TS7441L-EVB-K |
760 M - 870 M |
17 dB |
39 dBm |
47 % Pout = 38 dBm |
28 V |
815 MHz |
| TA9210D + TS7441L-EVB-K |
760 M - 870 M |
17.5 dB |
40 dBm |
47 % Pout = 39 dBm |
32 V |
815 MHz |
| TA9310E |
0.03 – 4.0 GHz |
17.5 dB |
20 W |
55 % |
32 V |
CW |
| TA9310E-EVB-A |
500 - 2700 MHz |
@ 2700 MHz : 14 dB |
>25 W |
>55 % |
32 V |
CW |
| TA9310E-EVB-B |
950 - 1250 MHz |
@ 1000 MHz : 19.5 dB |
30 W Peak |
75 % |
28 V |
DC = 15 %, PW = 10 usec |
| TA9310E-EVB-C |
1.5 - 1.8 GHz |
@ 1.7 GHz : 14.6 dB |
43 dBm at 1.7 GHz |
50 % at 42 dBm |
30 V |
CW |
| TA9410E |
0.03 – 4.0 GHz |
20 dB |
25 W |
>55 % |
50 V |
CW |
| TA9410E-EVB-A |
20 - 525 MHz |
@ 350 MHz : 21 dB |
>25 W |
70 % |
50 V |
CW |
| TA9410E-EVB-B |
20 - 1000 MHz |
@ 525 MHz : 21 dB |
>25 W |
>55 % |
50 V |
CW |
