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Système de caractérisation des semi-conducteurs : Modèle 4200A-SCS | KEITHLEY

Les solutions Keithley pour la caractérisation I-V et C-V des cellules solaires offrent les mesures les plus précises actuellement possibles sans les tracas liés à l'intégration de différents instruments ou à l'écriture de programmes complexes.

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Description

Fort du succès de l'analyseur de paramètres Keithley 4200-SCS, l'instrument 4200A-SCS présente un design industriel moderne, une nouvelle interface utilisateur et une gamme d'outils extrêmement utiles tels que des vidéos pédagogiques d'experts intégrées dans l'instrument. Le résultat immédiat est la réduction des temps de configuration de l’instrument de l’ordre de 50% et un fonctionnement nettement plus facile et plus intuitif. La facilité d'utilisation est particulièrement importante pour les applications telles que la recherche dans le domaine du semiconducteur, l'analyse de défaillance des composants ou les tests de fiabilité lorsque les instruments sont une ressource partagée entre plusieurs utilisateurs.

  • Solution clé en main I-V et C-V entièrement intégrée avec interface utilisateur intuitive
  • Bibliothèques intégrées pour l'extraction des paramètres clés des cellules et outils avancés d'analyse et de formulation
  • Fonctionnement sur 4 quadrants (source-drain)
  • Gamme courant / tension (I-V)
    • 0.1 fA – 1 A
    • 0.2 µV – 210 V
  • Gamme capacité / tension (C-V)
    • 1 kHz – 10 MHz
  • Gamme pulsé I-V
    • ±40 V (80 V p-p), ±800 mA
    • 200 MSa/sec, 5 ns de taux d'échantillonnage
  • Solution clé en main avec logiciel intégré pour un traitement complet des calculs de paramètres des cellules et de l'analyse des données

Les solutions Keithley pour la caractérisation I-V et C-V des cellules solaires offrent les mesures les plus précises actuellement possibles sans les tracas liés à l'intégration de différents instruments ou à l'écriture de programmes complexes.

Mesure et caractérisation électrique des cellules solaires (photovoltaïques) avec Keithley

Mesure des paramètres clés, notamment :

  • Tension à vide (Voc)
  • Courant de court circuit (Isc)
  • Puissance de sortie maximale (Pmax)
  • Tension à Pmax (Vmax)
  • Facteur de forme (ff)
  • Résistance série (Rs)
  • Rendement de conversion (_)
  • Densité des atomes dopants (N)
  • Résistance parallèle (Rsh)
  • Résistivité de cellule
  • Densité de défaut

Caractérisation électrique des technologies basées sur les cellules solaires, notamment :

  • Silicium monocristallin
  • Silicium polycristallin
  • Silicium amorphe
  • CIGS
  • CdTe
  • Polymère organique

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