Carte d’évaluation pour Amplificateur GaN avec SiC FET, par Qorvo

La carte d'évaluation CB1-750-850-950 combine les technologies de gestion de l'énergie, de carbure de silicium (SiC) et de GaN RF pour fournir une solution système qui permet aux clients de tester les performances de cette solution à trois niveaux avec un large éventail d'amplificateurs de puissance GaN RF.

L'interface graphique intuitive de la carte d'évaluation permet aux clients de reconfigurer les paramètres par défaut afin d'optimiser les performances de leur PA spécifique.

• Elle démontre les exigences réduites en matière de condensateurs de masse et l'autocalibrage de la polarisation de grille
• Elle peut être utilisée pour évaluer les étapes individuelles ou l'ensemble de la solution à trois puces avec un amplificateur de puissance RF, ce qui permet d'accélérer la mise sur le marché.

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Caractéristiques :

• Séquençage du biais
• Autocalibrage pour la compensation de la température et du vieillissement
• Capacité réduite : seulement 100 uF nécessaire pour une impulsion de 1 KW
• Vdrain configurable : 20 V - 55 V jusqu'à 20 A
• Commutation du drain inférieure à 100 ns
• Réduction du bruit et des interférences électromagnétiques

Carte d’évaluation pour Amplificateur GaN : CB1-750-850-950