Transistor de puissance 200 V : performances boostées par SuperQ™

Ideal Semiconductor redéfinit les standards de l’électronique de puissance avec sa technologie innovante SuperQ™, conçue pour surpasser les limites des MOSFET classiques dans les applications basse et moyenne tension. Cette nouvelle génération de transistors ouvre la voie à des systèmes plus compacts, plus efficaces et plus fiables.

Une technologie unique : SuperQ™

La technologie SuperQ™ repose sur une architecture propriétaire combinant une structure MOSFET optimisée à un contrôle de charge dynamique.

Le cœur de l’innovation réside dans :

• Une structure canal plan modifiée, optimisée pour les tensions jusqu’à 200 V.
• Un driver de grille intégré permettant un pilotage rapide, précis et adaptatif.
• Une régulation active des charges de commutation, limitant les pertes et les interférences électromagnétiques.
• SuperQ™ permet donc une efficacité inégalée, une robustesse accrue et une flexibilité d’intégration sans précédent.

Les avantages de la technologie SuperQ™

• Jusqu’à 50 % de réduction des pertes de puissance par rapport aux MOSFET traditionnels
• Suppression des composants externes comme les snubbers, grâce à un meilleur contrôle des transitoires
• Compatibilité pin-à-pin avec les boîtiers standards du marché
• Réduction des coûts thermiques et d’encombrement dans les designs à forte densité

Le produit phare : MOSFET SuperQ™ jusqu’à 200 V

Des applications variées

• Les convertisseurs DC/DC pour serveurs, datacenters ou cartes embarquées
• Les systèmes d’alimentation automobile (12 V / 48 V)
• Les alimentations télécom, réseaux et équipements 5G
• Les entraînements moteurs industriels et robotiques