Transistor MOSFET de puissance jusqu’à 200 V : série SuperQ | IDEAL SEMICONDUCTOR

La gamme SuperQ™ de MOSFETs développée par iDEAL Semiconductor combine une technologie innovante de conduction optimisée avec des boîtiers compacts et des performances avancées. Ces composants couvrent des tensions de fonctionnement de 150 V à 200 V et se déclinent en de nombreuses références, adaptées aux besoins variés de conversion d'énergie, commande moteur, alimentation à découpage (SMPS) ou redressement synchrone.

Technologie SuperQ™

La technologie SuperQ™ repose sur une structure verticale innovante et un processus avancé compatible avec les lignes de production 200 mm et 300 mm. Elle offre :

• Très faible RDS(on) (jusqu'à 2,5 mΩ) pour une conduction optimisée
• Commutation rapide grâce à une faible charge de grille et des pertes réduites
• Plage de courant élevée allant jusqu'à 231 A
• Compatibilité multi-boîtiers : PDFN, TO-220, TOLL, D2PAK, TOLT, TO-247

Avantages

• Réduction des pertes en conduction et en commutation
• Flexibilité d'intégration grâce à un large choix de boîtiers
• Rendement énergétique amélioré pour applications embarquées ou industrielles
• Compatibilité design-in avec des tensions 150 V et 200 V
• Options à très faible RDS(on) pour les applications exigeantes en puissance

Caractéristiques principales

• Tension drain-source (V_DS) : 150 V ou 200 V
• R_DS(on) max : de 2,5 mΩ à 28 mΩ
• Courant nominal I_D : de 39 A à 231 A selon la référence
• Boîtiers disponibles : PDFN 5x6, TO-220, TOLL, D2PAK-3L / 7L, TOLT, TO-247
• Statuts de disponibilité : Released, Sampling, Coming Soon

Applications typiques

• Convertisseurs DC-DC, AC-DC
• Alimentations à découpage (SMPS) côté primaire et secondaire
• Commande de moteurs et variateurs
• Électronique de puissance embarquée (véhicules électriques, drones, robots)
• Informatique et data centers

Gamme des produits SuperQ™ disponibles

La gamme actuelle inclut plus de 20 références, dont notamment :

• iS15M2R5S1T : 150 V, 2.5 mΩ, 231 A, boîtier TOLL
• iS20M6R3S1P : 200 V, 6.3 mΩ, 141 A, TO-220
• iS15M7R1S1C : 150 V, 6.4 mΩ, 133 A, PDFN 5x6
• iS20M028S1P : 200 V, 28 mΩ, 39 A, TO-220
• iS15M3R7S1P : 150 V, 3.7 mΩ, 174 A, TO-220

Une grande variété de configurations permet de sélectionner le composant le plus adapté selon les contraintes de dissipation, de compacité ou de refroidissement.

Tableau comparatif des MOSFETs SuperQ™