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Nouveau MOSFET de puissance 200V faible RDS(on) en boîtier TOLL : iS20M5R5S1T Agrandir l'image

MOSFET de puissance 200V faible RDS(on) en boîtier TOLL : iS20M5R5S1T | IDEAL SEMICONDUCTOR

MOSFET de puissance 200V SuperQ en boîtier TOLL avec RDS(on) très faible et faibles pertes de commutation. Idéal pour SMPS, convertisseurs DC-DC, motor drives et systèmes de gestion batterie nécessitant un rendement énergétique élevé.

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Description

Le MOSFET de puissance – 200V SuperQ faible RDS(on) : iS20M5R5S1T est un transistor MOSFET conçu pour les applications nécessitant une efficacité énergétique élevée. Optimisé pour les alimentations à découpage (SMPS) et les systèmes de commande moteur, ce composant réduit les pertes de conduction et de commutation grâce à une architecture avancée et un RDS(on) très faible.

Intégré dans un boîtier TOLL robuste, ce MOSFET est conçu pour améliorer la gestion thermique et maintenir des performances élevées aussi bien à pleine charge qu’à charge partielle.

Avantages

  • Très faible RDS(on) permettant de réduire les pertes de conduction
  • Faibles pertes de commutation pour améliorer l’efficacité globale du système
  • Capacité élevée de tenue en court-circuit (SCWC) pour une meilleure robustesse
  • Facilité de mise en parallèle grâce à une tension de seuil de grille ±0,5 V
  • Boîtier TOLL offrant une excellente gestion thermique
  • Optimisé pour les alimentations haute efficacité

Caractéristiques principales

  • Type de composant : MOSFET de puissance
  • Famille : MOSFET 200 V
  • Technologie : SuperQ
  • Tension nominale : 200 V
  • Boîtier : TOLL
  • Optimisé pour : faibles pertes de conduction et de commutation
  • Capacité de tenue en court-circuit : élevée (SCWC)
  • Facilité de mise en parallèle : seuil de grille ±0,5 V

Applications typiques

  • Commande moteur
  • Battery management systems (BMS)
  • Protection contre les courants d’appel (in-rush protection)
  • Redressement synchrone
  • Convertisseurs DC-DC
  • Convertisseurs Boost
  • Alimentations à découpage (SMPS)

Pourquoi choisir iS20M5R5S1T

Le iS20M5R5S1T constitue une solution MOSFET performante pour les applications de puissance exigeant un haut rendement.

  • RDS(on) très faible permettant de réduire significativement les pertes de conduction
  • Faibles pertes de commutation améliorant l’efficacité globale du système
  • Robustesse élevée avec une excellente tenue en court-circuit
  • Intégration facilitée grâce à la possibilité de mise en parallèle
  • Adapté aux architectures de puissance modernes

Conseils et Préconisations Composant
Demarche commerciale
Expertise
Veille et Suivi
Agence en Chine

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