MOSFET haute tension 200V faible RDS(on) en boîtier TO-220 : iS20M8R0S1P | IDEAL SEMICONDUCTOR

Le MOSFET haute tension 200V faible RDS(on) en boîtier TO-220 – iS20M8R0S1P est un transistor de puissance N-Channel basé sur la technologie SuperQ, conçu pour les applications de conversion d’énergie à haut rendement. Optimisé pour les alimentations à découpage (SMPS) et les systèmes de commande moteur, il offre de faibles pertes de conduction et de commutation.

Grâce à son RDS(on) très faible et à sa conception robuste, ce MOSFET permet de réduire la dissipation thermique et d'améliorer l’efficacité globale des systèmes électroniques de puissance. Son boîtier TO-220 facilite l’intégration dans de nombreuses architectures industrielles et assure une bonne gestion thermique.

Avantages

• Très faible RDS(on) pour limiter les pertes de conduction
• Faibles pertes de commutation pour améliorer le rendement énergétique
• Capacité élevée de tenue en court-circuit (SCWC)
• 100% UIS testé en production pour une fiabilité accrue
• Facilité de mise en parallèle grâce à un seuil de grille stable
• Boîtier TO-220 robuste facilitant la dissipation thermique

Caractéristiques principales

• Type : MOSFET N-Channel de puissance
• Tension drain-source (VDS) : 200 V
• Résistance à l’état passant RDS(on) max : 8.3 mΩ
• Courant de drain continu : 128 A
• Charge de grille totale (Qg) : 73 nC
• Charge de commutation (Qsw) : 5.2 nC
• Énergie capacitive stockée (EOSS) : 3.0 µJ
• Boîtier : TO-220
• Température de fonctionnement : -55°C à +175°C

Applications typiques

• Commande moteur
• Convertisseurs Boost
• Alimentations à découpage (SMPS)
• Redressement synchrone côté secondaire
• Convertisseurs DC-DC haute efficacité
• Systèmes de gestion d’énergie

Pourquoi choisir iS20M8R0S1P

Le iS20M8R0S1P est conçu pour les applications de puissance nécessitant un haut rendement et une grande fiabilité. Sa technologie SuperQ permet d’atteindre un équilibre optimal entre faible RDS(on) et faibles pertes de commutation, ce qui réduit l’échauffement et améliore les performances globales du système.

Grâce à sa robustesse, sa forte capacité de courant et sa facilité de mise en parallèle, ce MOSFET constitue un choix pertinent pour les architectures de conversion d’énergie modernes dans les environnements industriels et électroniques de puissance.