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Mosfet de puissance à canal N 8 A, 700 V : 8NM70A Agrandir l'image

Mosfet de puissance à canal N 8 A, 700 V : 8NM70A | Unisonic (UTC)

Ce MOSFET de puissance est généralement utilisé pour des applications de commutation à haute vitesse dans les alimentations à découpage et les adaptateurs.

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Description

L'UTC 8NM70A est un MOSFET à super jonction haute tension conçu pour présenter de meilleures caractéristiques, telles qu'un temps de commutation rapide, une faible charge de grille, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques d'avalanche très robustes. Ce MOSFET de puissance est généralement utilisé pour des applications de commutation à haute vitesse dans les alimentations à découpage et les adaptateurs.

Caractéristiques techniques :

  • RDS(ON) ≤ 0.7 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A
  • Capacité de commutation rapide
  • Capacité dv/dt améliorée, grande robustesse

Références et spécifications :

PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT
Drain-Source Voltage VDSS 700 V
Gate-Source Voltage VGSS ±30 V
Drain Current Continuous ID 8 A
Pulsed (Note 2) IDM 32 A
Avalanche Energy Single Pulsed (Note 3) EAS 110 mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4) dv/dt 5.0 V/ns
Power dissipation TO-220F1 PD 28 W
TO-251/TO-252 54 W
Junction Temperature TJ +150 °C
Storage Temperature TSTG -55 ~ +150 °C

Notes :

  • 1. Les valeurs nominales maximales absolues sont les valeurs au-delà desquelles le dispositif pourrait être endommagé de façon permanente. Les valeurs maximales absolues sont des valeurs de contrainte uniquement et le fonctionnement fonctionnel du dispositif n'est pas impliqué.
  • 2. Caractéristiques répétitives : largeur d'impulsion limitée par la température maximale de la jonction.
  • 3. L=60mH, IAS=1.92A, VDD=50V, RG=25 Ω, TJ de départ = 25°C.
  • 4. ISD≤8.0A, di/dt≤200A/μs, VDD ≤ BVDSS, TJ de départ = 25°C

Conseils et Préconisations Composant
Demarche commerciale
Expertise
Veille et Suivi
Agence en Chine

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