MOSFET de puissance à canal N 200 V 5,5 mΩ : iS20M5R5S1H | IDEAL SEMICONDUCTOR

Le MOSFET de puissance à canal N 200 V 5,5 mΩ : iS20M5R5S1H est un composant de puissance conçu pour les applications à haut rendement. Ce modèle SuperQ en boîtier D2PAK-7L associe une faible résistance à l’état passant et de faibles pertes de commutation, afin de limiter les échauffements aussi bien à pleine charge qu’à charge partielle.

Il est destiné aux architectures d’alimentation et de conversion d’énergie nécessitant un composant robuste, capable de fonctionner avec une tension drain-source de 200 V et un courant continu jusqu’à 148 A à 25 °C.

Avantages

• Faible RDS(on) : jusqu’à 5,5 mΩ max. pour réduire les pertes par conduction.
• Faibles pertes de commutation : avec une charge de commutation QSW de 7,8 nC et une énergie EOSS de 3,9 µJ.
• Bonne tenue au court-circuit pour les applications de puissance exigeantes.
• Test UIS à 100 % en production pour renforcer la fiabilité du composant.
• Boîtier D2PAK-7L adapté aux conceptions de puissance compactes.
• Mise en parallèle facilitée grâce à une tension de seuil adaptée.

Caractéristiques principales

• Type : MOSFET de puissance à canal N
• Tension drain-source maximale : 200 V
• Courant continu de drain : 148 A à 25 °C
• Résistance à l’état passant RDS(on) : 4,6 mΩ typique, 5,5 mΩ maximum
• Charge totale de grille Qg : 110 nC typique
• Charge de commutation QSW : 7,8 nC typique
• Énergie capacitive EOSS : 3,9 µJ typique
• Boîtier : D2PAK-7L
• Température de jonction maximale : 175 °C
• Puissance dissipée : 300 W à 25 °C
• Stockage standard : conditionnement en bobine de 1 000 pièces

Applications typiques

• Commande moteur
• Convertisseurs boost
• Alimentations à découpage
• Transistor de commande pour SMPS
• Redressement synchrone côté secondaire

Pourquoi choisir le MOSFET de puissance à canal N 200 V 5,5 mΩ : iS20M5R5S1H

Le iS20M5R5S1H constitue un choix pertinent pour les conceptions de conversion de puissance recherchant un équilibre entre faibles pertes, forte capacité en courant et robustesse électrique. Son niveau de performance en conduction et en commutation permet d’optimiser le rendement global des systèmes, tout en conservant un format de boîtier largement utilisé dans l’industrie.