MOSFET haute tension 

Le iS15M7R1S1C est un MOSFET de puissance N-Channel 150 V de la série SuperQ™ développé par iDEAL Semiconductor.

MOSFETs SuperQ™ – Ultra faible RDS(on), haut rendement, tension jusqu’à 200 V : gamme iDEAL Semiconductor. La gamme SuperQ™ MOSFETs développée par...

Applications : Conversion d'énergie AC/DC dans les alimentations à découpage, alimentation sans interruption (UPS), adaptateur

Ce MOSFET de puissance est généralement utilisé dans les convertisseurs AC-DC pour les applications de puissance.

Ce MOSFET de puissance est généralement utilisé pour des applications de commutation à haute vitesse dans les alimentations à découpage et les...

Dispositifs sans plomb et écologiques disponibles

MOSFET à super jonction pour les applications d'alimentation électrique à haute densité et les moteurs d'onduleurs.

Vitesse de commutation élevée

Les MOSFETs de puissance en carbure de silicium (SiC) sont des dispositifs à canal n en mode d'amélioration haute tension, encapsulés dans divers...

Les MOSFETs de puissance en carbure de silicium (SiC) des séries SPM2 et SPM3 sont conçus pour des applications nécessitant une haute efficacité et...

Le module SiC MOSFET est un composant de puissance avancé conçu pour les applications exigeantes telles que les systèmes de conversion d'énergie,...

MOSFET N-Channel 150V SuperQ en boîtier TOLL, RDS(on) 2,5 mΩ, 233A, faible Qg et QSW. Idéal pour commande moteur, battery disconnect et...

MOSFET de puissance 200V SuperQ en boîtier TOLL avec RDS(on) très faible et faibles pertes de commutation. Idéal pour SMPS, convertisseurs DC-DC,...

MOSFET haute tension 200V N-Channel en boîtier TO-220 avec RDS(on) très faible et faibles pertes de commutation. Idéal pour SMPS, convertisseurs...

MOSFET de puissance à canal N 200 V iS20M5R5S1H en boîtier D2PAK-7L, avec RDS(on) faible, pertes de commutation réduites et forte tenue en courant....