MOSFET de puissance 150 V : iS15M7R1S1C | IDEAL SEMICONDUCTOR

Le iS15M7R1S1C est un MOSFET de puissance N-Channel 150 V de la série SuperQ™ développé par iDEAL Semiconductor. Conçu pour offrir des performances de commutation exceptionnelles, il se distingue par une très faible résistance à l’état passant (RDS(on)), une énergie de stockage minimale (EOSS) et un temps de recouvrement inverse réduit. Il est idéal pour les applications de conversion de puissance à haute efficacité.

Avantages :

• Faible RDS(on) typique de 5,7 mΩ pour une meilleure efficacité
• Énergie de commutation réduite (EOSS et EOFF) pour des pertes minimales
• Commutation rapide avec faible charge QSW
• Faible temps de recouvrement inverse (Trr) pour une meilleure performance dans les topologies synchrones
• Conçu pour les applications SMPS, moteurs, redresseurs synchrones

Caractéristiques principales :

• Tension de drain-source (VDS) : 150 V
• RDS(on) max : 7,1 mΩ @ VGS = 10V, ID = 23A
• Courant de drain (TC = 25°C) : 101 A
• Charge totale de grille (Qg) : 58 nC
• Capacité d’entrée (Ciss) : 3 573 pF
• Temps de commutation (td(on)/td(off)) : 24 ns / 32 ns
• Température de fonctionnement : -55°C à +175°C
• Boîtier : PDFN 5x6 mm

Applications :

• Alimentation à découpage (SMPS) côté primaire
• Redressement synchrone côté secondaire
• Commande de moteur

Spécifications et modèles disponibles :