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MOSFET canal N pour convertisseurs DC-DC : SM2A12NSKP | SINOPOWER

Applications : gestion de l'alimentation dans les convertisseur TV, convertisseurs DC-DC.

Caractéristiques techniques :

Fiable et robuste
Dispositifs écologiques et sans plomb disponibles (conforme à la directive RoHS)

Applications :

Spécifications :

Symbol	Parameter		Rating	Unit
Common Ratings
VDSS	Drain-Source Voltage		200	V
VGSS	Gate-Source Voltage		±25	V
TJ	Maximum Junction Temperature		150	°C
TSTG	Storage Temperature Range		-55 to 150	°C
IS	Diode Continuous Forward Current	TC=25°C	11	A
ID	Continuous Drain Current	TC=25°C	23	A
ID	Continuous Drain Current	TC=100°C	14
IDM a	Pulsed Drain Current	TC=25°C	48
PD	Maximum Power Dissipation	TC=25°C	96	W
PD	Maximum Power Dissipation	TC=100°C	38	W
RqJC	Thermal Resistance-Junction to Case		1,3	°C/W
ID	Continuous Drain Current	TA=25°C	5,3	A
ID	Continuous Drain Current	TA=70°C	4,3	A
PD	Maximum Power Dissipation	TA=25°C	5	W
PD	Maximum Power Dissipation	TA=70°C	3,2	W
RqJA c	Thermal Resistance-Junction to Ambient	t < 10s	25	°C/W
RqJA c	Thermal Resistance-Junction to Ambient	Steady State	60
IAS b	Avalanche Current, Single pulse	L=0.5mH	6,5	A
EAS b	Avalanche Energy, Single pulse	L=0.5mH	10	mJ

Conseils et Préconisations Composant