MOSFET de puissance canal N 200 V, 45 A : iS20M028S1C | IDEAL SEMICONDUCTOR

Le iS20M028S1C est un MOSFET de puissance canal N 200 V de la gamme SuperQ d’iDEAL Semiconductor. Il est conçu pour les applications de conversion de puissance, les alimentations à découpage et les entraînements de moteurs à haut rendement.

Conditionné en boîtier PDFN 5 x 6 mm, il associe une faible résistance à l’état passant et de faibles pertes de commutation afin de limiter la dissipation thermique en fonctionnement.

Avantages

• Faible résistance à l’état passant avec une valeur maximale de 25 mΩ.
• Réduction des pertes de conduction et de commutation pour les conceptions à haut rendement.
• Tenue en température industrielle jusqu’à 175 °C.
• Robustesse en conditions de défaut, avec test UIS réalisé en production.
• Boîtier compact PDFN 5 x 6 mm adapté aux conceptions à forte densité d’intégration.
• Mise en parallèle facilitée grâce au seuil de grille indiqué par le fabricant.

Caractéristiques principales

• Type de composant : MOSFET de puissance canal N.
• Tension drain-source : 200 V.
• Courant de drain continu : 45 A à 25 °C.
• Résistance à l’état passant maximale : 25 mΩ.
• Charge de grille totale typique : 27,5 nC.
• Charge de commutation typique : 2,5 nC.
• Énergie stockée en sortie typique : 1 µJ.
• Tension grille-source : ±20 V.
• Puissance dissipée : 125 W à 25 °C.
• Température de jonction et de stockage : -55 °C à 175 °C.
• Boîtier : PDFN 5 x 6 mm.

Applications typiques

• Contrôle de moteurs.
• Convertisseurs élévateurs.
• Alimentations à découpage.
• Transistor de commande pour alimentation à découpage.
• Redressement synchrone côté secondaire.

Pourquoi choisir le MOSFET de puissance canal N 200 V, 45 A : iS20M028S1C

Le iS20M028S1C constitue une solution adaptée aux conceptions de puissance recherchant un compromis entre faibles pertes, compacité et robustesse thermique. Sa tension de 200 V, son courant de 45 A et sa faible résistance à l’état passant permettent de l’intégrer dans des architectures exigeantes de conversion d’énergie et de pilotage moteur.

Grâce à son boîtier PDFN 5 x 6 mm et à ses caractéristiques de commutation, il répond aux besoins des équipements où le rendement, la gestion thermique et la densité de puissance sont des critères essentiels.