MOSFET de puissance canal N basse tension 200 V, 40 A : iS20M028S1P | IDEAL SEMICONDUCTOR

Le iS20M028S1P est un MOSFET de puissance canal N 200 V de la gamme SuperQ d’iDEAL Semiconductor. Il est destiné aux applications de conversion de puissance, de contrôle moteur et de redressement synchrone.

Ce composant est proposé en boîtier TO-220. Il combine une faible résistance à l’état passant et de faibles pertes de commutation afin de limiter l’échauffement dans les conceptions de puissance à haut rendement.

Avantages

• Faible résistance à l’état passant avec une valeur maximale de 25 mΩ.
• Pertes de commutation réduites grâce à une charge de commutation typique de 2,7 nC.
• Capacité en courant élevée avec un courant de drain continu de 40 A à 25 °C.
• Large aire de fonctionnement sûre indiquée par le fabricant.
• Robustesse en conditions de défaut, avec test UIS réalisé en production.
• Boîtier TO-220 adapté aux conceptions nécessitant une dissipation thermique efficace.

Caractéristiques principales

• Type de composant : MOSFET de puissance canal N.
• Tension drain-source : 200 V.
• Courant de drain continu : 40 A à 25 °C.
• Résistance à l’état passant maximale : 25 mΩ.
• Charge de grille totale typique : 26,5 nC.
• Charge de commutation typique : 2,7 nC.
• Énergie stockée en sortie typique : 1 µJ.
• Tension grille-source : ±20 V.
• Puissance dissipée : 100 W à 25 °C.
• Température de jonction et de stockage : -55 °C à 175 °C.
• Boîtier : TO-220.
• Conditionnement : tube de 50 pièces.

Applications typiques

• Contrôle de moteurs.
• Convertisseurs élévateurs.
• Alimentations à découpage.
• Transistors de commande pour alimentation à découpage.
• Redressement synchrone côté secondaire.

Pourquoi choisir le MOSFET de puissance canal N basse tension 200 V, 40 A : iS20M028S1P

Le iS20M028S1P est adapté aux conceptions de puissance qui nécessitent un composant 200 V, une faible résistance à l’état passant et un boîtier TO-220. Il permet de répondre aux besoins des applications de conversion d’énergie, de commande moteur et de redressement synchrone.

Son association entre faibles pertes de conduction, faibles pertes de commutation et robustesse en conditions de défaut en fait une solution pertinente pour les architectures de puissance recherchant rendement et fiabilité.