Description
Le SSD M.2 MTE710T de Transcend intègre l'interface PCI Express (PCIe) Gen 4 x4. Il est conforme à la spécification NVM Express (NVMe) 1.4 et atteint des vitesses de transfert jamais vues auparavant. Le MTE710T est doté de la technologie 3D NAND Flash, avec 112 couches superposées. Par rapport à la technologie 3D NAND à 96 couches, cette augmentation de la densité améliore considérablement l'efficacité du stockage, tandis que son cache DRAM intégré accélère les opérationsd'accès.
Equipé d'un PCB sur lequel la technologie innovante de liant d'angle est appliquée de série, et de broches de connection dorées avec une épaisseur de 30µ, le MTE710T est entièrement testé en interne afin de garantir sa fiabilité dans les applications critiques, avec un indice d'endurance de 3000 cycles de programmation/effacement et une température de fonctionnement étendue allant de -20℃~75℃.
Transcend propose également le modèle MTE710T-I avec une résistance aux températures extrêmes (-40℃ ~ 85℃) afin de garantir une utilisation optimale et une fiabilité durable.
Caractéristiques :
- Prise en charge de la commande NVM
- Régulation thermique dynamique
- Fonctionnalité LDPC ECC (Error Correction Code) intégrée
- Niveau d'usure global avancé et gestion des blocs pour une fiabilité maximale
- Collecte avancée des déchets
- Fonction S.M.A.R.T. améliorée pour une durabilité accrue
- Commande TRIM pour des performances supérieure
- Prend en charge le logiciel de gestion de données Transcend Elite (en option)
Caractéristiques techniques :
- Conforme aux normes RoHS 2.0
- Conforme à la spécification NVM Express 1.4
- Conforme à la spécification PCI Express 4.0
- Facteur de forme M.2 peu encombrant (80 mm) - idéal pour les appareils informatiques mobiles
- Interface PCIe Gen 4 x4
- Mémoire cache DDR4 DRAM intégrée
- Endurance : 3000 cycles P/E (cycles de Programmation/Effacement) garantis
- Les composants clés sont renforcés par la procédure d’assemblage Corner Bond
- Connecteur doré 30µ"
- Mise en place d'une technologie anti-soufre pour éviter la sulfuration dans l'environnement
- Power Shield (PS) pour garantir l'intégrité du transfert des données et minimiser la corruption des données dans le lecteur pendant une panne de courant inhabituelle.
- Temp. élargie (-20°C ~ 75°C) et Temp. étendue (-40°C ~ 85°C) sont disponibles
Spécifications :
| Appearance |
Dimensions |
80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14") |
| Weight |
10 g (0.35 oz) |
| M.2 Type |
2280-D2-M (Double-sided) |
| Form Factor |
M.2 2280 |
| Interface |
Bus Interface |
NVMe PCIe Gen4 x4 |
| Storage |
Capacity |
256 GB / 512 GB / 1 TB / 2 TB |
| Flash Type |
112-layer 3D NAND flash |
| Operating Voltage |
3.3V±5% |
| Operating |
Operating Temperature |
Extended Temp.
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
Wide Temp.
-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F) |
| Environment |
Storage Temperature |
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Humidity |
5% ~ 95% |
| Shock |
1500 G, 0.5 ms, 3 axis |
| Vibration (Operating) |
20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency) |
| Power |
Power Consumption (Operation) |
4.6 watt(s) |
| Power Consumption (IDLE) |
1.6 watt(s) |
| Performance |
Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) |
Read: up to 3,800 MB/s Write: up to 3,200 MB/s |
| 4K Random Read/Write (IOmeter) |
Read: up to 350,000 IOPS Write: up to 430,000 IOPS |
| Mean Time Between Failures (MTBF) |
3,000,000 hour(s) |
| Terabytes Written (TBW) |
up to 4,480 TBW |
| Drive Writes Per Day (DWPD) |
1.99 (3 yrs) |
| Warranty |
Certificate |
CE / FCC / BSMI / UKCA |
| Warranty |
Three-year Limited Warranty |
