Description
Le SSD M.2 MTE652T de Transcend est doté de l'interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4. Il est compatible avec les spécifications NVM Express (NVMe) 1.3 pour des vitesses de transfert jamais vues auparavant. Le MTE652T est doté de la technologie de pointe 3D NAND, qui permet d'empiler verticalement 96 couches de puces NAND Flash 3D. Comparé à la technologie 3D NAND 64 couches, cette percée en matière de densité améliore considérablement l'efficacité du stockage.
Le MTE652T est doté d'une mémoire cache DRAM pour un accès rapide. Il est intégralement testé en interne pour garantir sa fiabilité dans les applications critiques, avec une endurance de 3000 cycles de programmation/effacement.
Transcend propose également le MTE652T-I avec une large plage de température (-40℃ ~ 85℃) pour assurer une fonctionnalité durable, une endurance accrue et une fiabilité optimale dans les applications critiques.
Caractéristiques :
- Prise en charge de la commande NVM
- Technologie de mise en cache SLC
- Régulation thermique dynamique
- Fonctionnalité LDPC ECC (Error Correction Code) intégrée
- Niveau d'usure global avancé et gestion des blocs pour une fiabilité maximale
- Rafraîchissement statique des données
- Fonction S.M.A.R.T. améliorée pour une durabilité accrue
- Prend en charge le logiciel de gestion de données Transcend Elite (en option)
Caractéristiques techniques :
- Conforme aux normes RoHS 2.0
- Conforme à la spécification NVM Express 1.3
- Conforme à la spécification PCI Express 3.1
- Facteur de forme M.2 peu encombrant (80 mm) - idéal pour les appareils informatiques mobiles
- Interface PCIe Gen 3 x4
- Mémoire cache DDR3 DRAM intégrée
- Endurance : 3000 cycles P/E (cycles de Programmation/Effacement) garantis
- Les composants clés sont renforcés par la procédure d’assemblage Corner Bond
- Mise en place d'une technologie anti-soufre pour éviter la sulfuration dans l'environnement
- Power Shield (PS) pour garantir l'intégrité du transfert des données et minimiser la corruption des données dans le lecteur pendant une panne de courant inhabituelle.
- Sécurité de fonctionnement garantie dans une large plage de température (de -40℃ à 85℃)
Spécifications :
| Appearance |
Dimensions |
80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14") |
| Weight |
9 g (0.32 oz) |
| Form Factor |
M.2 |
| M.2 Type |
2280-D2-M (Double-sided) |
| Interface |
Bus Interface |
NVMe PCIe Gen3 x4 |
| Storage |
Flash Type |
3D NAND flash |
| Capacity |
128 GB / 256 GB / 512 GB |
Operating
Environment |
Operating Voltage |
3.3V±5% |
| Operating Temperature |
Standard Temp.
0°C (32°F) ~ 70°C (158°F)
Wide Temp.
-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F) |
| Storage Temperature |
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Humidity |
5% ~ 95% |
| Shock |
1500 G, 0.5 ms, 3 axis |
| Vibration (Operating) |
20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency) |
| Power |
Power Consumption (Operation) |
3.3 watt(s) |
| Power Consumption (IDLE) |
0.6 watt(s) |
| Performance |
Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) |
Read: up to 2,100 MB/s
Write: up to 1,250 MB/s |
| 4K Random Read/Write (IOmeter) |
Read: up to 190,000 IOPS
Write: up to 290,000 IOPS |
| Mean Time Between Failures (MTBF) |
3,000,000 hour(s) |
| Terabytes Written (TBW) |
up to 1,080 TBW |
| Drive Writes Per Day (DWPD) |
2 (3 yrs) |
