RESSOURCES / ACTUALITÉS / SALONS / WEBINAIRES
Dernières Actualités
Repositionnement tarifaire imc : les solutions DAQ deviennent plus accessibles
Minimiser les risques et détecter les fuites de SF6 à un stade précoce
Modules RF et hyperfréquences PMI pour chaînes large bande, radar et test RF
Ce MOSFET 200 V en boîtier TO-220 offre un excellent compromis entre performance, efficacité énergétique et fiabilité industrielle.
En un coup d’œil
MOSFET 200 V haute efficacité
Optimisé pour les applications de conversion de puissance exigeantes.
RDS(on) ultra faible
Réduction significative des pertes de conduction et de l’échauffement.
Faibles pertes de commutation
Performances optimisées pour les architectures haute fréquence.
Robustesse industrielle
Capacité de tenue aux courts-circuits et tests avalanche validés.
Courants élevés
Adapté aux applications de puissance et aux systèmes à forte densité énergétique.
Boîtier TO-220
Dissipation thermique optimisée et intégration facilitée.
Un MOSFET 200 V conçu pour maximiser le rendement énergétique
Le MOSFET iS20M8R0S1P d’iDEAL Semiconductor s’adresse aux ingénieurs concevant des systèmes de conversion d’énergie à haut rendement. Basé sur une technologie avancée, il combine faible résistance à l’état passant et pertes de commutation réduites, permettant d’optimiser les performances globales des systèmes électroniques de puissance.
Ce composant répond aux exigences des architectures modernes, où la réduction des pertes, la maîtrise thermique et la fiabilité sont des critères déterminants.
Caractéristiques techniques principales
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Tension drain-source (VDS) | 200 V |
| RDS(on) | ≈ 8 mΩ |
| Courant drain (ID) | Jusqu’à 115 A |
| Charge de grille (Qg) | ≈ 74 nC |
| Plage de température | -55°C à +175°C |
| Boîtier | TO-220 |
Des performances optimisées pour les architectures de puissance
Le faible RDS(on) permet de limiter efficacement les pertes par conduction, ce qui se traduit par une réduction directe de l’échauffement et une amélioration du rendement énergétique.
En parallèle, les faibles charges de commutation réduisent les pertes dynamiques, rendant ce MOSFET particulièrement adapté aux applications à fréquence élevée et aux topologies modernes de conversion DC-DC.
Ce compromis entre conduction et commutation en fait une solution performante pour maximiser la densité de puissance tout en maîtrisant les contraintes thermiques.
Fiabilité et robustesse pour les environnements exigeants
Le iS20M8R0S1P intègre des caractéristiques de robustesse essentielles pour les applications industrielles :
Applications typiques
Ce MOSFET est adapté à un large éventail d’applications de puissance :
Une solution performante pour améliorer vos designs de puissance
Grâce à son faible niveau de pertes, sa robustesse et sa facilité d’intégration, le iS20M8R0S1P constitue une solution efficace pour améliorer les performances énergétiques des systèmes électroniques modernes.
Il s’intègre naturellement dans les architectures de conversion de puissance nécessitant fiabilité, efficacité et densité de puissance élevée.
