Module de puissance IGBT à haute tension ( 3300 V - 4500 V ) | HIITIO

Les modules IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sont des composants électroniques de puissance utilisés pour la conversion et le contrôle de l'énergie électrique. Ils sont conçus pour offrir une haute efficacité et une fiabilité accrue dans diverses applications industrielles et commerciales.

Avantages :

• Haute capacité de cyclage thermique
• Faible tension de saturation V_CE(sat)
• Haute densité de courant
• Capacité de résistance aux courts-circuits de 10μs
• Faibles pertes de commutation
• Baseplate en AlSiC et substrats en AlN pour une meilleure dissipation thermique

Caractéristiques Principales :

• Tension collecteur-émetteur (V_CES): 3300 V à 4500 V
• Tension de saturation collecteur-émetteur (V_CE(sat)): 1.75 V à 2.70 V
• Courant collecteur maximal (I_C): 450 A à 2400 A
• Courant de crête collecteur (I_C(RM)): 900 A à 4800 A
• Tension d'isolation: 6000 V à 10200 V
• Température de jonction: -40 °C à 150 °C
• Température de stockage: -40 °C à 150 °C
• Distance de fuite: 20 mm à 56 mm
• Indice de traçage comparatif (CTI): >600

Options et Accessoires :

• Configurations de circuit variées pour répondre à différentes exigences
• Modules avec différentes capacités de courant et de tension
• Accessoires de montage et de connexion électrique
• Options de protection contre les décharges électrostatiques (ESD)

Applications :

• Traction drives
• Motor controllers
• Smart grid
• High reliability inverter

Spécifications et modèles disponibles :