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Switch GaN SPDT et SP4T (1 MHz - 6 GHz), 10 à 200 W : Série TS | TAGORETECH

Commutateurs RF haute puissance symétriques TagoreTech, de 10 W à 200 W, avec configurations 2T, 4T, 6T et 8T pour applications RF large bande.

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Description

La série TS de TagoreTech regroupe des commutateurs RF symétriques réfléchissants conçus pour les applications de commutation large bande nécessitant une forte tenue en puissance, une faible perte d’insertion et une isolation élevée.

Cette gamme couvre des configurations 2T, 4T, 6T et 8T, avec des puissances continues allant de 10 W à 200 W selon les références. Les modèles sont proposés dans des boîtiers compacts, de 3 x 3 mm à 7 x 7 mm, afin de répondre aux contraintes d’intégration des architectures RF modernes.

La série comprend des versions standard ainsi que des versions à pompe de charge désactivée. Ces dernières nécessitent une alimentation négative externe sur la broche VCP, typiquement -18 V, afin de réduire les raies parasites liées à la pompe de charge interne.

Avantages

  • Large choix de puissances : modèles disponibles de 10 W à 200 W selon les références.
  • Configurations multiples : versions 2T, 4T, 6T et 8T selon les besoins de commutation RF.
  • Large couverture en fréquence : jusqu’à 8,5 GHz pour certaines références.
  • Faible perte d’insertion : adaptée aux chaînes RF où la préservation du signal est importante.
  • Isolation élevée : permet de limiter les couplages indésirables entre voies RF.
  • Versions standard et versions à pompe de charge désactivée : choix possible selon les contraintes d’alimentation, de bruit et d’intégration.
  • Boîtiers compacts : formats 3 x 3 mm, 4 x 4 mm, 5 x 5 mm, 6 x 6 mm ou 7 x 7 mm selon les modèles.
  • Alimentation VDD basse tension : généralement comprise entre 2,6 V et 5,5 V selon les références.

Caractéristiques principales

  • Type de commutation : réfléchissant.
  • Technologie : GaN RF.
  • Configurations disponibles : 2T, 4T, 6T et 8T.
  • Puissance continue : 10 W, 20 W, 30 W, 50 W, 100 W ou 200 W selon les modèles.
  • Fréquence maximale : jusqu’à 8,5 GHz selon la référence.
  • Temps de commutation : de 0,25 µs à 72 µs selon les modèles.
  • Boîtiers : de 3 x 3 mm à 7 x 7 mm selon la puissance et la configuration.
  • Alimentation VDD : de 2,6 V à 5,5 V selon les modèles.
  • Alimentation VCP : dépendante de la référence ; les versions à pompe de charge désactivée nécessitent généralement une alimentation négative externe de -18 V.

Applications typiques

  • Radios mobiles professionnelles
  • Radios tactiques
  • Communications militaires
  • Combinés de sécurité publique
  • Infrastructure cellulaire
  • Petites cellules
  • Relais et microcellules LTE
  • Terminaux satellites
  • Liaisons de données
  • Chaînes RF haute puissance
  • Systèmes de commutation RF large bande
  • Applications de test CEM
  • Applications industrielles et scientifiques

Pourquoi choisir les commutateurs RF haute puissance symétriques - 10 W à 200 W : série TS TagoreTech

Les commutateurs RF haute puissance symétriques série TS TagoreTech permettent de couvrir un large éventail de besoins de commutation RF, depuis les architectures compactes 10 W jusqu’aux solutions 200 W pour environnements exigeants.

Grâce à leur faible perte d’insertion, leur isolation élevée, leur format compact et leurs différentes configurations, ces commutateurs constituent une solution adaptée aux systèmes RF nécessitant une commutation fiable, large bande et haute puissance.

Les versions à pompe de charge désactivée complètent la gamme pour les applications où la maîtrise des raies parasites et du bruit de commutation est un critère important. ES France accompagne les utilisateurs dans le choix de la référence, l’analyse des contraintes RF et l’intégration de la solution dans leur architecture.

Références et spécifications 

Comparatif des modèles - Commutateurs RF haute puissance symétriques série TS
RéférenceConfigurationTypeVersion / particularitéFréquencePuissance P0.1dBPerte d’insertionIsolationH2 / H3Temps de commutationBoîtierAlimentation VDDAlimentation VCP
10 W
TS8223K 2T Réfléchissant Standard 300 MHz - 8,5 GHz 10 W 0,35 / 0,6 dB 47 / 22 dB Pin = 40 dBm
À confirmer
0,25 µs 3 x 3 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS7225FK 2T Réfléchissant Standard 30 MHz - 6 GHz 10 W 0,35 / 0,9 dB 40 / 15 dB Pin = 40 dBm
-81 dBc
0,7 µs 3 x 3 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS8242FK 4T Réfléchissant Standard 1 MHz - 6 GHz 10 W 0,30 / 0,8 dB 40 / 18 dB Pin = 40 dBm
-86 / -89 dBc
0,6 µs 3 x 3 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS82420K 4T Réfléchissant Pompe de charge désactivée 30 MHz - 5,0 GHz 40 dBm continu
45 dBm crête
0,2 dB à 800 MHz
0,3 dB à 2,7 GHz
40 dB à 800 MHz
25 dB à 2,7 GHz
86 / 89 dBc 0,6 µs 3 x 3 mm 2,6 - 5,25 V -18 V
20 W
TS8423K 2T Réfléchissant Standard 1 MHz - 7,2 GHz 20 W 0,2 / 0,5 dB 46 / 22 dB Pin = 40 dBm
-92 / -95 dBc
0,9 µs 3 x 3 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS8361M
Nouveau
6T Réfléchissant Standard 1 MHz - 3,0 GHz 20 W À confirmer À confirmer À confirmer 0,9 µs 6 x 6 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS8381M
Nouveau
8T Réfléchissant Standard 1 MHz - 3,0 GHz 20 W À confirmer À confirmer À confirmer 0,9 µs 6 x 6 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS82250K 2T Réfléchissant Pompe de charge désactivée 30 MHz - 5,0 GHz 20 W 0,18 dB à 800 MHz
0,5 dB à 5,0 GHz
45 dB à 800 MHz
22 dB à 5,0 GHz
-92 / -95 dBc 0,9 µs 3 x 3 mm 2,6 - 5,25 V -18 V
TS84230K 2T Réfléchissant Pompe de charge désactivée 1 MHz - 7,2 GHz 20 W 0,20 dB à 1,0 GHz
0,60 dB à 7,0 GHz
30 dB à 3,0 GHz
20 dB à 6,0 GHz
-92 / -95 dBc 0,9 µs 3 x 3 mm 2,6 - 5,25 V -18 V
30 W
TS7423L 2T Réfléchissant Standard 1 MHz - 6,0 GHz 30 W 0,2 / 0,6 dB 42 / 18 dB Pin = 40 dBm
-92 / -95 dBc
0,9 µs 4 x 4 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS8441L 4T Réfléchissant Standard 30 MHz - 4,5 GHz 30 W 0,23 / 1,0 dB 37 / 20 dB Pin = 42 dBm
-81 / -90 dBc
0,8 µs 4 x 4 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS84410L 4T Réfléchissant Pompe de charge désactivée 30 MHz - 4,0 GHz 30 W 0,22 dB à 800 MHz
1,0 dB à 4,0 GHz
38 dB à 800 MHz
20 dB à 4,0 GHz
80 / 77 dBc 0,8 µs 4 x 4 mm 2,6 - 5,25 V -18 V
50 W
TS8021N 2T Réfléchissant Standard 1 MHz - 5 GHz 50 W 0,25 / 0,5 dB 40 / 20 dB Pin = 45 dBm
-87 / -95 dBc
5,2 µs 5 x 5 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS8022L 2T Réfléchissant Standard 1 MHz - 6 GHz 50 W 0,2 / 0,6 dB 40 / 20 dB Pin = 45 dBm
-87 / -95 dBc
5,2 µs 4 x 4 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS8541L 4T Réfléchissant Standard 30 MHz - 4,3 GHz 50 W 0,26 / 0,5 dB 45 / 24 dB Pin = 40 dBm
-84 / -86 dBc
2,3 µs 4 x 4 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS80210N 2T Réfléchissant Pompe de charge désactivée 30 MHz - 4,0 GHz 50 W 0,2 dB à 800 MHz
0,5 dB à 4,0 GHz
42 dB à 800 MHz
20 dB à 4,0 GHz
-86 / -89 dBc 5,2 µs 5 x 5 mm 2,6 - 5,25 V -18 V
TS80220L 2T Réfléchissant Pompe de charge désactivée 1 MHz - 6,0 GHz 50 W 0,20 dB à 1,0 GHz
0,65 dB à 6,0 GHz
42 dB à 1,0 GHz
20 dB à 6,0 GHz
-86 / -89 dBc 5,2 µs 4 x 4 mm 2,6 - 5,25 V -18 V
TS85410L 4T Réfléchissant Pompe de charge désactivée 30 MHz - 3,0 GHz 50 W 0,25 dB à 800 MHz
0,52 dB à 3,0 GHz avec adaptation
45 dB à 800 MHz
23 dB à 3,0 GHz avec adaptation
-84 / -86 dBc 2,3 µs 4 x 4 mm 2,6 - 5,5 V -18 V
100 W
TS8023N 2T Réfléchissant Standard 1 MHz - 3,5 GHz 100 W 0,2 / 0,4 dB 42 / 27 dB Pin = 47 dBm
-88 / -85 dBc
12 µs 5 x 5 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS8043N 4T Réfléchissant Standard 30 MHz - 2,5 GHz 100 W 0,4 / 0,45 dB 36 / 36 dB Pin = 45 dBm
-76 / -79 dBc
12 µs 5 x 5 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS80430N 4T Réfléchissant Pompe de charge désactivée 30 MHz - 1,0 GHz
30 MHz - 2,5 GHz avec adaptation
100 W 0,37 dB à 1,0 GHz 45 dB à 400 MHz
36 dB à 1,0 GHz
76 / 79 dBc 12 µs 5 x 5 mm 2,6 - 5,25 V -18 V
200 W
TS86246P 2T Réfléchissant Standard 1 MHz - 1 GHz 200 W 0,08 dB à 30 MHz 49 dB à 30 MHz Pin = 50 dBm
-93 / -94 dBc
72 µs 7 x 7 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS86236P 2T Réfléchissant Standard 30 MHz - 1,7 GHz 200 W 0,11 dB à 200 MHz 38 dB à 1 GHz Pin = 50 dBm
-88 / -91 dBc
26 µs 7 x 7 2,6 - 5,5 V Information non disponible
TS86436P 4T Réfléchissant Standard 30 MHz - 1,3 GHz 200 W 0,13 dB à 200 MHz 36 dB à 1 GHz Pin = 50 dBm
-88 / -91 dBc
12 µs 7 x 7 2,6 - 5,5 V Information non disponible

 

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