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Nouveau Commutateur RF SPDT haute puissance – 0,5–12 GHz, 10 W CW / 50 W pointe : TSX221K Agrandir l'image

Commutateur RF SPDT haute puissance – 0,5–12 GHz, 10 W CW / 50 W pointe : TSX221K | TAGORETECH

Le TSX221K est un commutateur RF SPDT basé sur une technologie GaN intégrée, optimisé pour les applications haute puissance en bande X et large bande. 

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Description

Le TSX221K est un commutateur RF SPDT basé sur une technologie GaN intégrée, optimisé pour les applications haute puissance en bande X et large bande. Il combine faible perte d’insertion, isolation élevée, linéarité de premier plan et temps de commutation ultra-rapide, tout en restant simple à alimenter (VDD unique). Conçu pour des environnements RF exigeants, il convient aux architectures front-end T/R, aux bancs de test et aux équipements de communication modernes.

Avantages

  • Haute puissance : jusqu’à 10 W CW et 50 W crête pour les applications exigeantes.
  • Faible perte d’insertion : typiquement 0,40 dB @ 5 GHz pour maximiser le budget de liaison.
  • Large bande : fonctionnement de 0,5 à 12 GHz couvrant la bande X et au-delà.
  • Commutation rapide : temps de commutation d’environ 50 ns, idéal pour les systèmes agiles.
  • Topologie réfléchissante : robustesse et simplicité d’intégration en front-end RF.
  • Alimentation unique : VDD de 2,6 à 5,5 V pour une mise en œuvre simplifiée.
  • Boîtier compact : QFN 3 × 3 mm pour des designs denses à faible inductance parasite.

Caractéristiques principales

  • Fonction : commutateur RF SPDT (Single Pole Dual Throw), type reflective.
  • Plage de fréquences : 0,5 – 12,0 GHz.
  • Puissance supportée : 10 W CW / 50 W crête.
  • Perte d’insertion : typ. 0,40 dB @ 5 GHz (référence indicative).
  • Isolation : élevée (conçue pour bande X et large bande).
  • Temps de commutation : ~50 ns.
  • Alimentation : VDD 2,6 – 5,5 V (simple rail).
  • Impédance : 50 Ω.
  • Boîtier : QFN 3 × 3 mm.

Applications typiques

  • Front-end T/R (émetteur/récepteur) en bande X : radars, liaisons radio, SATCOM.
  • Infrastructures sans fil nécessitant des commutations à faible perte et forte isolation.
  • Bancs de test RF & hyperfréquences : routage de signaux, sélection de voies, calibration.
  • Modules et sous-systèmes RF où l’encombrement et l’efficacité sont critiques.

Informations complémentaires

  • Intègre une technologie GaN de nouvelle génération pour remplacer les solutions à diodes PIN complexes.
  • Optimisé pour une linéarité élevée et une faible distorsion en large bande.
  • Conception adaptée aux contraintes industrielles avec pilotage logique simple (VDD unique).
  • Disponible chez ES France avec support technique local, conseils d’intégration et accompagnement avant-vente.

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